2-tema. Imslar tayarlaw texnologiyası. Ims aktiv hám passiv elementleri Reje

2-tema. IMSlar tayarlaw texnologiyası. IMS aktiv hám passiv elementleri
Reje:

1. 
   IMS táriypi
   
2. 
   IMS klassifikaciyası
   
3. 
   IMS passiv elementleri
   
4. 
   IMS tayarlaw texnologiyası
   

Integral mikrosxemalar elektr áspablarınıń sapa dárejesindegi jańa túri bolıp elektron qurılmalarınıń tuykarǵı negiz elementi esaplanadı.

Integral mikrosxema (IMS) elektrlik tárepten óz-ara baylanısqan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar hám t.basqalar) kompleksi bolıp, jeke texnologiyalıq ciklda orınlanadı, yaǵnıy bir waqıttıń ózinde jeke konstrukciya (tiykar)da málim informaciyanı qayta islew funkciyasın orınlaydı.
IMSlerdiń tiykarǵı qásiyetleri sonda, ol quramalı funkciyalardı orınlawı menen birge kúsheytkish, trigger, esaplaǵısh, yad qurılması hám basqa funkciyalardı da orınlaydı. Tap usınday funkciyalardı orınlaw ushın diskret elementlerde sáykes keliwshi sxemanı jıynaw talap etiler edi.
IMSler ushın eki tiykarǵı belgi bar: konstruktivlik hám texnologiyalıq. Konstrukciya belgisi sonday, IMSniń bárshe elemenleri tiykarǵı tiykar ishinde yaki betinde jaylasadı, elektrlik tárepten birlestirilgen hám jalǵız qabatta jaylastırılǵan bolıp, pútin esaplanadı. IMS elementleriniń hámmesi yaki bir bólegi hám elementler ara baylanıslar pútin texnologiyalıq ciklda orınlanadı. Usı sebepli integral mikrosxemalar joqarı isenimlikke hám kishi bahaǵa iye.
Házirgi kúnde jasalıw túri hám hasıl bolatuǵın strukturaǵa kóre IMSlerdiń úsh principial túri bar: yarım ótkizgishli, perdeli hám gibridli. Hár bir IMS túriniń konstrukciyası, mikrosxema quramına kiretuǵın element hám komponentler sanın ańlatıwshı integraciya dárejesi menen xarakterlenedi.
Element dep qandayda bir elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator hám t.basqalar) funkciyasin ámelge asiriwshi IMS bólimine aytiladi hám ol kristall yaki tiykardan ajiralmaǵan konstrukciyada jasaladi.
IMS konponenti dep oniń diskret element funkciyasin orinlattuǵın, biraq dáslepki bólek erkin ónim siyaqli montaj qilinatuǵın bólegine aytiladi.
Tiykarǵı IMS konstruktivlik belgilerinen biri bolıp tiykar túri esaplanadi. Bul belgige kóre IMSler eki túrge bólinedi: yarim ótkizgishli hám dielektrik.
Tiykar retinde yarım ótkizgishli materiallar arasında kremniy hám galliy arsenide keń qollanıladı. IMS niń bárshe elementleri yaki elementleriniń bir bólegi yarim ótkizgishli monokristall plastina kórinisinde tiykardıń ishinde jaylasadı.
Dielektrik tiykarli IMSlerde elementler oniń betinde jaylasadi. Yarim ótkizgish tiykarli mikrosxemalardiń tiykarǵı abzalliǵı – elementlerdiń júdá úlken integraciya dárejesi esaplanadi, biraq oniń nominal parametrleri diapazoni júdá sheklengen bolıp olar bir-birinen izolyaciyalaniwin talap qiladi. Dielektrik tiykarli mikrosxemalardiń abzalliǵı – elementlerdiń júdá jaqsi izolyaciyasi, olardiń qásiyetleriniń Turaqlıliǵı, hámde elementler túri hám elektr parametrleriniń tańlawiniń keńligi.