Yarimo‘tkazgichli tranzistor parametrlarini xisoblash. Ishdan maqsad

Yarimo‘tkazgichli tranzistor parametrlarini xisoblash.
Ishdan maqsad: Maydon tranzistori bilan tanishish va uni ishlash prinspini o’rganish.


Nazariy qism.
Maydon (bir qutbli) tranzistor yarimo'tkazgichli qurilma bo'lib, uning ishlash printsipi darvozaga qo'llaniladigan kuchlanish tomonidan yaratilgan ko'nmaydonng elektr maydoni tomonidan o'tkazuvchan kanalning elektr qarshiligini boshqarishga asoslangan.Zaryad tashuvchilarning kanalga kiradigan maydoni manba deb ataladi, ular kanaldan kiradigan maydon drenaj deb ataladi, nazorat kuchlanishi qo'llaniladigan elektrod darvoza deb ataladi.
Maydon effektli tranzistorlarning yaratilish tarixi
Maydon effektli tranzistorli sxema
1953 yilda Jorj Klement Deysi va Ross maydon effektli tranzistor dizaynini taklif qildilar va amalga oshirdilar - p-n-o'tish boshqaruvi bilan.
Izolyatsiya qilingan tranzistorda asosiy tashuvchilarning oqimini elektr maydoni bilan tartibga solish g'oyasi birinchi marta 1926-1928 yillarda Lilienfeld tomonidan taklif qilingan. Biroq, ushbu g'oyani amalda amalga oshirishdagi qiyinchiliklar birinchi ishchi qurilmani faqat 1960 yilda yaratishga imkon berdi. 1966 yilda Karver Mead (ing.) Rus. bunday qurilmaning elektrodlarini Schottky diodi bilan manevr qilish orqali ushbu dizaynni yaxshiladi.
1977 yilda Bell Labs xodimi Jeyms Makkallaxem maydon effektli tranzistorlardan foymaydonnish mavjud hisoblash tizimlarining ish faoliyatini sezilarli darajada oshirishi mumkinligini aniqladi.
Maydon effektli tranzistorlarning tasnifi
Maydon effektli tranzistorlar turlari va ularning sxematik diagrammalarda belgilanishi
Maydon effektli tranzistorlar MIS ("metall-dielektrik-yarim o'tkazgich") deb ataladigan, MOS ("metall-oksid-yarim o'tkazgich") deb ataladigan, boshqaruv pn-birikmasi va izolyatsiyalangan eshikli qurilmalarga bo'linadi. ) - tranzistorlar, ikkinchisi esa o'rnatilgan kanalli tranzistorlar va induktsiyali kanalli qurilmalarga bo'linadi.
Maydon effektli tranzistorlarning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi: kirish qarshiligi, tranzistorning ichki qarshiligi, shuningdek, chiqish deb ataladigan, drenaj eshigi xarakteristikasining qiyaligi, kesish kuchlanishi va boshqalar.