ÓZBEKSTAN RESPUBLIKASÍ INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARÍ HÁM KOMMUNIKACIYALARÍN RAWAJLANDÍRÍW MINISTRLIGI
MUHAMMED AL-XOREZMIY ATÍNDAǴI TASHKENT INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NÓKIS FILIALÍ
«Telekommunikaciya texnologiyaları hám kásiplik tálim» fakulteti « Telekommunikaciya texnologiyaları» baǵdarı
2-kurs 303-20 topar student Teńelbaev Rawajdiń
«Elektronika hám sxemaları2» páninen
LABARATORIYA JUMISI
Tapsırdı: Teńelbaev Rawaj
Qabılladı: Karimova Aykerim
Nókis - 2022
2 - laboratoriya jumısı
BTda jasalǵan UE kúsheytkish sxemasın izertlew
Jumıstıń maqseti: UE jalǵanıw sxemasında bipolyar tranzistorlardıń tiykarǵı statikalıq xarakteristikaları hám parametrlarin izertlew, xarakteristikalardı ólshew hám tajreybe nátiyjelerin qayta islew metodı menen tanısıw.
1. Laboratoriya jumısın orınlawǵa tayarlıq:
Grafikalıq kóriniste ańlatılǵan tok hám kernew arasındaǵı baylanıslılıq tranzistor statikalıq xarakteristikaları dep ataladı. Ulıwma emitter jalǵanıw sxemasında ǵárezsiz ózgeriwshiler sıpatında baza tokı hám kollektor – emitter kernewi tańlanadı, sonda:
(2.1)
Eki ózgermeli funkciya grafikalıq kóriniste xarakteristikalar semьyası siyaqlı suwretlenedi.
BT kiris xarakteristikaları semьyası 2.1 a- suwrette, shıǵıw xarakteristikalar semьyası 2.1 b- suwrette keltirilgen.
a) b)
2.1- suwret
Xarakteristikalardıń hár biri tómendegi baylanıslılıq penen ańlatıladı:
, bolǵanda (2.2)
, bolǵanda (2.3)
Kishi amplitudalı siganllar menen isleńende hám mánisler menen beriletuǵın ıqtıyariy isshi noqat átirapındaǵı sızıqlı emes baylanıslılıqlar (2.1-2.3), sızıqlı teńlemeler menen almastırılıwı mumkin, máselen tranzistordıń h- parametrler sistemasınan paydalanıp.
(2.4)
jazıw mumkin, bul jerde , bolǵanda
, bolǵanda
, bolǵanda (2.5)
, bolǵanda
h- parametrler (2.5) formulaları járdeminde xaratkeristikalar semьyasınan anıqlanıwı mumkin (h11E hám h12E – kiris xaratkeristikalar semьyasınan, h21E hám h22E – shıǵıw xarakteristikalar semьyasınan).
Ámeliy esaplarda kóbinese BT statikalıq xarakteristikaların bólekli- sızıqlı aprroksimaciyasınan da keń paydalanadı. (2.2- suwretke qarań).
Approksimaciyalanǵan kiris xaratkeristikları ushın
(2.6)
ǵa iyemiz.
2.2-suwret
SHıǵıw xarakteristikaları ushın bolsa
(2.7)
2.6 hám 2.7 formulalarda
UBOS- emitter ótiwdegi bosaǵalıq kernew,
- tranzistor kiris qarsılıǵınıń orta mánisi ( ),
- toyınıw rejimindegi tranzistor shıǵıw qarsılıǵı (baslanǵısh tarawda).
, hám (2.8)
- aktiv rejimde shıǵıw qarsılıǵı nıń orta mánisi.
hám bolǵanda (2.9)
2. Laboratoriya jumısın orınlaw ushın tapsırma:
2.1. Tajreybe ótkiziwge tayarlıq kóriw:
Tranzistor strukturası hám shegaralıq parametrleri menen tanısıp shıǵıń, tranzistor haqqındaǵı maǵıwmatlardı jazıp alıń, ólshew ushın keste tayёrlań.
2.1 - keste
Kiris hám basqarıw xarakteristikaları
EB
|
V
|
0.554
|
uBE
|
V
|
0.031
|
iB
|
mkA
|
0.889
|
iK
|
mA
|
0.060
|
2.2 - keste
Tranzistor shıǵıw xarakteristikaları
Multisimde isleniwi:
Do'stlaringiz bilan baham: |