30. Bipolyar tranzistorlar

Boshqariladigan r-p o‘tishli maydonli tranzistor 
p
+
yoki r-
o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan kristalldan tayyorlanadi. Kristallning qarama-qarshi 
tomonlaridan ulanish uchlari chiqarilib, ulardan biri chiquvchi (istok), ikkinchisi 
yutuvchi (stok) deb ataladi. CHiquvchi va yutuvchi oralig‘iga diffuziya usuli bilan 
r-soha (p-o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan kristallda) joylashtiriladi. Natijada 
kristallning shu qismida r-p o‘tish vujudga keladi. Tranzistorning chiquvchi va 
yutuvchi oralig‘iga E
2
batareya shunday ulanadiki, natijada asosiy tok tashuvchilar 
chiquvchidan yutuvchi tomonga harakatlanadi. Tok tashuvchi zaryadlar bunda r-p 
o‘tish orqali emas, balki uning yonidan kanal bo‘ylab oqadi. Ikkinchi E
1
tok 
manbaini chiquvchi va zatvor oralig‘iga teskari r-p o‘tish hosil bo‘ladigan qilib 
ulanadi. Natijada r va p- sohalar orasida mavjud bo‘ladigan berkituvchi qatlam 
kengayadi. Bunda zatvor sohasida zaryadlar konsentratsiyasi kanalga nisbatan 
katta bo‘lganligidan kambag‘al sohaning kengayishi asosan kanal hisobiga ro‘y 
beradi. Natijada tok o‘tkazuvchi kanalning ko‘ndalang kesimi kamayadi va shunga 
muvofiq uning qarshiligi ortadi. Bu esa o‘z navbatida kanal orqali o‘tuvchi tokning 
kamayishiga olib keladi. 22.1 – rasmda bu kanal shaklining o‘zgarishi uzlukli 
chizivlar vositasida ifodalangan. SHunday qilib, zatvor tranzistorda boshqaruvchi 
elektrod bo‘lib xizmat qiladi. 
Tranzistor orqali o‘tuvchi tok nolga teng yoki ma’lum belgilangan 
qiymatgacha kamayadigan zatvor-chiquvchi kuchlanishi 
ajratish kuchlanishi
deb 
ataladi. r-kanalli tranzistorlarda bu kuchlanish musbat bo‘lib, odatda 0,2 – 7 V 
oralig‘ida bo‘ladi. 

---

22.1 – rasm. Boshqariladigan r-p o‘tishli maydon tranzistori 
Hozirda maydonli tranzistorlar ikki zatvorli qilib chiqarilmoqda (22.1b – 
rasm). Ikkinchi zatvor ko‘pincha birinchi zatvorga ulab qo‘yiladi va u kanalni 
pastki tomonidan cheklaydi. Maydon tranzistorining VAT i 22.2 – rasmda 
keltirilgan.
22.2 – rasm. Boshqariladigan r-p o‘tishli maydon tranzistorining
chiqish tavsiflari
Maydonli tranzistorlarning shartli belgilanishlari 22.2 – rasmda keltirilgan. 
З 
Ч 
Ю 
n - каналли
а) 
n - каналли
Асос 
Ч З
Ю 
(З
г
)n 
б) 
Ю 
n - каналли
~ 
З
1 
Р
+ 
Р
+ 
З
2 
R
H 
Ч 
- 
+ 
Е
1 
- 
+ 
Е
2 
в) 
U
ЮЧ
20 30
U
ЮЧ
, В 
I
Ю
(мА) 
30 
20 
10 
I
Юб 
I
Ю 
Чизи
қ
ли
со
ҳ
а 
Тўйиниш со
ҳ
аси 
Д 
А 
U
ЗЧ
 = 0 
 
 
 
- 2,5 В 
 
 
- 5 В 
 
 
- 7 В 
I
Ю 
I
Ю
, мА 
мкА 
U
ЗЧ 
U
ЧЮ 
ёриб 
ўтиш 
ажр. 
30 
20 
10 
- 7,5 -5 0
U
ЗЧ
, В 

---

22.3 – rasm. Maydon tranzistorlarning shartli belgilanishi: 
a – r- kanalli, b – p- kanalli, v – zatvorli izolyasiyalangan p- kanalli, g – zatvori 
izolyasiyalangan r- kanalli, d – zatvori izolyasiyalangan p- kanalli to‘yingan, e – 
zatvori izolyasiyalangan r- kanalli to‘yingan 
Ю Ю
Ю 
З
2
З
2
а) в)
д) 
Ю Ю
Ю 
З
2
З
2
З Ч З Ч З
б) г)
е)