GaAs asosidagi lazer materiallarining tuzilmaviy xossalarini o’rganish
M.I. O’rinboyev
Andijon davlat universitetining Pedagogika instituti Informatika va aniq fanlarni o’qitish metodikasi kafedrasi o’qituvchisi
Annotatsiya: Sirtiy holatlarni eksperimental tekshirish uchun Ge1-xGaAsx qattiq qorishma asosidagi ZnSe KN li epitaksial qatlamlar tanlandi. Epitaksiyal qatlamlar suyuq fazali epitaksiya usuli yordamida, n − tur o’tkazuvchanlikka ega bo’lgan GaAs tagliklariga o’stirildi. Sirtiy tadqiqotlar sirtiy releflarni va sirt bo’ylab potentsiallarni taqsimlanishlarini tekshirishga imkon beruvchi „Solver-NEXT“ atom-kuch mikroskopi (AKM) yordamida amalga oshirildi va 4K haroratdagi o’rganilayotgan qattiq qorishmaning fotolyuminestsentsiya spektri o’rganildi.
Do'stlaringiz bilan baham: |