Исследование полупроводниковых структур в электронно-ионном микроскопе

Органы управления и порядок работы на растровом электронно-ионном микроскопе Helios NanoLab 650

Электронно-ионный микроскоп Helios NanoLab 650 оснащен установленным на компьютере программным обеспечением xT microscope control, позволяющим управлять электронной и ионной колоннами. Внешний вид приложения представлен на рисунке 2. Исследование полупроводниковых структур методом РЭМ в растровом электронно-ионном микроскопе осуществляется в окне 1 согласно нижеизложенной последовательности действий.

Последовательность действий при загрузке образца:

1. 
   Нажатием кнопки «Vent» на странице «Beam Control» включается напуск магистрального азота в рабочую камеру.
   
2. 
   Образцы закрепляются на предметных столиках, обдуваются потоком воздуха и загружаются в камеру.
   
3. 
   Нажатием кнопки «Pump» включается откачка воздуха из камеры.
   
4. 
   При достижении давления в камере порядка 10^-6 мБар, на странице «Beam Control» нажмите кнопку «Beam on».
   

Управление растровым электронным микроскопом осуществляется, предварительно выделив окно РЭМ, при помощи следующих операций.

1. 
   Включение и отключение сканирования электронным пучком – кнопка на панели инструментов .
   

Рисунок 2 – Общий вид интерфейса приложения «xT microscope Control»

2. 
   Степень дискретизации кадров задается ниспадающим меню на панели инструментов вида , а скорость сканирования – .
   
3. 
   Яркость и контрастность задается на панели «Detectors», страница «Beam Control» , либо соответствующими рукоятками на пульте управления.
   
4. 
   Степень увеличения задается на панели «Magnification», страница «Beam Control» , либо рукояткой на пульте управления.
   
5. 
   Перемещение столика в плоскости образца осуществляется, зажав колесо мыши, когда курсор находится в пределах окна с изображением, и отклонив его в направлении перемещения, либо указав двойным щелчком левой мыши участок образца, которой должен быть выставлен по центру окна.
   
6. 
   Перемещение столика в направлении, перпендикулярном плоскости образца, выполняется, зажав колесо мыши, когда курсор находится в пределах окна ИК камеры, и отклонив его в направлении перемещения, либо на панели «Stage Z», страница «Navigation» .
   
7. 
   Угол поворота столика в плоскости образца задается на странице «Navigation» , панели «Stage», вкладке «Coordinates», в поле «R».
   
8. 
   Угол наклона столика задается на странице «Navigation» , панели «Stage», вкладке «Coordinates», в поле «T». Если угол равен 0°, то поверхность образца перпендикулярна направлению падения пучка электронов, а если – 52°, то пучку ионов.
   
9. 
   Фокусировка электронного пучка выполняется рукояткой на пульте управления, либо зажав правую клавишу мыши, когда курсор находится в пределах окна с изображением, и отклонив по горизонтали.
   
10. 
    Коррекция астигматизма выполняется рукояткой на пульте управления, либо при помощи опции «Stigmator» на панели «Beam».
    
11. 
    Смещение области сканирования электронным пучком осуществляется рукоятками на пульте, либо при помощи опции «Beam Shift» на панели «Beam».
    
12. 
    Величина ускоряющего напряжения и ток пучка электронов (размер апертуры) задаются ниспадающими меню на панели инструментов вида и .