Майдоний транзисторларни тадқИҚ этиш ўҚув лаборатория мажмуасини

 
Статик сток характеристикалар оиласи. Транзисторда n – канал мавжуд, яъни 
затвордаги кучланиш бўсағавий кучланишдан катта (U
ЗИ
>U
0 
) деб ҳисоблаймиз. 
n – канали индукцияланган МДЯ – транзисторнинг сток характеристикалар оиласи, 
яъни U
ЗИ
=const бўлгандаги I
C
=f(U
СИ
) боғлиқлик графиги 1.5 – расмда келтирилган.
U
СИ 
кучланишнинг канал тузилишига таъсирини кўриб чиқамиз. Агар U
СИ
=0 
бўлса, ҳосил бўлган канал кенглиги канал узунлиги бўйича бир хил. U
СИ
>0 бўлганда 
затвор ва яримўтказгич сирти орасидаги потенциаллар фарқи ва ҳаракатчан заряд 
ташувчиларнинг солиштирма заряди сток йўналишида камаяди. Мос равишда сток 
яқинида камбағаллашган қатлам қалинлиги исток яқинидагига нисбатан катта бўлиб, 
канал кенглиги истокдан стокка камаяди. 
а) б) 

---

16 
1.5 – расм. n – канали индукцияланган МДЯ – транзисторнинг сток (а) ва сток – затвор (б) 
характеристикалар оиласи. 
Шундай қилиб, U
СИ 
кучланишнинг ортиши электронлар тезлигининг ортишига 
олиб келади, ток кучи дрейф тезликка пропорционал. Иккинчи томондан, U
СИ 
нинг 
ортиши каналнинг понасимонлигини ва у билан боғлиқ канал қаршилигини орттиради. 
Ушбу омилларнинг биргаликдаги таъсири чизиқли қонуниятга нисбатан кучсизроқ. Сток 
– исток кучланиш U
СИ.ТЎЙ
= U
ЗИ 
- U
0 
қийматга етганда инверс қатламнинг 
солиштирма заряди каналнинг сток томонида нолга тенг бўлади. Каналнинг сток томони 
ўзгрмасдан, тўйиниш режими ҳосил бўлади. 
Тўйиниш режимида сток токи амалда стокдаги кучланишга боғлиқ бўлмай қолади. 
Расмда штрих чизиқ билан характеристиканинг абсциссалари U
СИ
=U
СИ.ТЎЙ
мос 
нуқталари бирлаштирилган.