Яримўтказгичли оптоэлектрон қурилмалар фани 5-семестр 2021-2022 ўқув йили

bu erda m = 0,3 ÷ 0,5. P-n o’tishsining to'g'ridan-to'g'ri ulanishi bilan CDFning diffuziya qobiliyati sezilarli bo'ladi, chunki ozchilik tashuvchilarning tarqalishi natijasida ularning zaryadi o'zgaradi. Ko'rib chiqilayotgan p-n o'tishining tok kuchlanish xususiyatlarining barcha bo'limlari ma'lum funktsiyalarni bajaradigan yarimo'tkazgichli qurilmalarni yaratishda qo'llaniladi. Muayyan holatda ishlatiladigan p-n o’tishning I-V xarakteristikasi bo'limi ishchi deb nomlanadi. Aniq p-n o'tishining ekvivalent sxemasi, bu tutashuvning inersial modelini, sig'imi C = C_BAR + CDF va bazaviy qarshilik R_B ni hisobga oladi.

4. AII-ВVI tipidagi birikmalar qiziqish uyg'otadi, ularning ko'pi sfalerit tipidagi kristalli tuzilishga ega, ularning 1/3 qismi to'ldirilmagan kationli joylarga ega (tipik vakillari: Ga2Se3, Ga2Te3). VI guruh elementlarining o'tish metallari va REE bilan birikmalari orasida juda ko'p refrakter YARIMO’TKAZGICH mavjud. bog'lanishning ion xususiyatiga ega va ferromagnitik yoki antiferromagnitik xususiyatlarga ega m.