Биполяр транзисторлар характеристикалари ва параметрлари Режа: бт вольт-ампер характеристикалари

1.БТ физик параметрлари

• Ток бўйича кучайтириш коэффициентлари αст=Ik/Iэ ва βст=Ik/Iб БТ статик параметрлари ҳисобланади.
• Улардан ташқари ток ўзгаришлари нисбати билан ифодаланидиган дифференциал кучайтириш коэффициентлари ҳам кенг қўлланилади.

α=dIk/dIэ, β =dIk/dIб

• Cтатик ва дифференциал кучайтириш коэффициентлари бир биридан фарқ қиладилар.
• β кучайтириш коэффициенти коллектор кучланишига боғлиқ бўлади, ушбу боғликлик Эрли эффекти билан тушунтирилади.

1.БТ физик параметрлари

• Транзисторнинг эмиттер ва коллектор ўтишлари ўзининг дифференциал қаршиликларига эга.
• Эмиттер ўтиш тўғри йўналишда силжиганлиги сабабли, унинг дифференциал қаршилиги rЭ ни и ифодани қўллаб аниқлаш мумкин:
• бу ерда IЭ – токнинг доимий ташкил этувчиси.
• rЭ кичик қийматга эга (ток 1 мА бўлганда rЭ=20-30 Ом ни ташкил этади) бўлиб, ток ортиши билан камаяди ва температура ортиши билан ортади.

1.БТ физик параметрлари

• Транзисторнинг коллектор ўтиши тескари йўналишда силжиганлиги сабабли, IК ток қиймати кичик ва UКБ кучланишига кучсиз боғлиқ бўлади.
• Шу сабабли коллектор ўтишнинг дифференциал қаршилиги катта, =1Мом бўлади.
• rК қаршилиги одатда ишчи токларнинг ортиши билан камаяди.
• Кичик қувватли транзисторлар учун коллектор қаршилиги ўнлаган Ом ни, катта қувватли транзисторларда эса бир нечта Омларни ташкил этади.
• База қаршилиги rБ бир неча юз Омни ташкил этади.

1.БТ физик параметрлари

• Эмитттер соҳаси қаршилиги киритма концентрацияси юқори бўлганлиги сабабли база қаршилигига нисбатан жуда кичик бўлади.
• УБ схемада кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициенти (IЭ = const бўлганида):
• УЭ схемасида эса (IБ = const бўлганида) қуйидаги формула орқали аниқланади.
• Транзисторларни тайёрланиш технологиясига боғлиқ равишда µ = 10-2 – 10-4 ни ташкил этадилар.
• БТ асосий чегаравий параметрларига Uкэ.max, Iк.max ва Рк.max лар киради. Айрим ҳолларда Uэб.max ни ҳам ҳисобга олишга тўғри келади.