Farg’ona politexnika instituti Kompyuterlashgan loyihalash tizimlari fakulteti T. J. B. A. K. T yo’nalishi 70-20 guruh talabasi Raximov Asilbekning Matlab asoslari fanidan tayyorlagan hisoboti

Farg’ona politexnika instituti
Kompyuterlashgan loyihalash tizimlari fakulteti T.J.B.A.K.T yo’nalishi 70-20 guruh talabasi
Raximov Asilbekning Matlab asoslari fanidan tayyorlagan
HISOBOTI

Bajardi: Raximov A

Qabul qildi: Dadajonov T

Farg’ona 2022

Bipolyar IGBT tranzistor

Zatvori izolyasiyalangan bipolyar IGBT tranzistorning modeli ketma-ket rezistor R_on, induktivlik L_on, o‘zgarmas kuchlanish manbasi V_f va kalit SW dan iborat (8-rasm). Mantiq bloki kalitni boshqaradi. IGBT tranzistor ochilishi uchun kollektor-emitter kuchlanishi musbat va V_f dan katta hamda uning zatvoriga musbat (g > 0) signal berilishi kerak. IGBT tranzistor zatvoridagi kuchlanish nolgacha (g = 0) kamayganda yopiladi. Kollektor-emitter kuchlanishi manfiy bo‘lganda tranzistor yopiq holatda bo‘ladi.

IGBT tranzistor modelining ulangan va uzilgan holatlari uchun statik volt-amper xarakteristikalari 9-rasmda ko‘rsatilgan.
Modelda tranzistorga parallel dempfirlovchi funksiyani bajaruvchi ketma-ket RC-zanjir ulangan.
Modelda tranzistorning yopilish vaqti ham hisobga olingan. YOpilish jarayoni ikkita uchastkaga bo‘lingan (10-rasm) va pasayish vaqti (T_f) hamda kechikish vaqti (T_t) bilan xarakterlanadi. Pasayish vaqtida tok 0,1I_max gacha kamayadi, bu erda I_max – tiristorning yopilish momentidagi maksimal tok. Kechikish vaqtida esa tok 0,1I_max dan nolgacha pasayadi.
IGBT tranzistorning parametrlarini o‘rnatish oynasi 11-rasmda ko‘rsatilgan.
IGBT tranzistorning parametrlari:
Resistance Ron (Ohm) - [Ulangan holatdagi qarshilik (Om)];
Inductance Lon (H) - [Ulangan holatdagi Induktivlik (Gn)];
Forward voltage Vf (V) - [To‘g‘ri yo‘nalishdagi kuchlanish pasayishi (V)];
Current 10% fall time Tf (s) - [YOpilish jarayonida tokning 0,1Imax gacha pasayish vaqti (s)];
Current tail time Tt (s) - [Kechikish vaqti (s). Tokning 0,1Imax dan nolgacha pasayish vaqti;
Initial current Ic (A) - [Tokning boshlang‘ich qiymati (A)]. Agar uning qiymati nol bo‘lsa modellash tranzistorning yopiq holatidan boshlanadi. Modellash tranzistorning ochiq holatidan boshlanishi uchun tokning boshlang‘ich qiymati sifatida musbat qiymat berilishi kerak;
Snubber resistance Rs (Ohm) - [Dempfirlovchi zanjirning qarshiligi (Om)];
Snubber capacitance Cs (F) - [Dempfirlovchi zanjirning sig‘imi (F)].
Blokning chiqish portida (m bilan belgilangan) ikki elementdan iborat vektor Simulink-signal shakllanadi. Birinchi element – tranzistorning kollektor-emitter toki, ikkinchi element esa – tranzistorning kollektor-emitter kuchlanishi.
Noreversiv kenglik-impuls o‘zgarmas kuchlanish o‘zgartkichi modelining sxemasi 12-rasmda ko‘rsatilgan. Unda tranzistor yuklamaga nisbatan parallel ulangan. Rasmda aktiv-sig‘im yuklamadagi kuchlanish va tokning grafiklari ham keltirilgan.

Zatvori izolyasiyalangan bipolyar IGBT tranzistorning modeli

IGBT tranzistor modelining ulangan va uzilgan holatlari uchun statik volt-amper xarakteristikalari

IGBT tranzistorning yopilish jarayoni

IGBT tranzistorning parametrlarini o‘rnatish oynasi

Noreversiv kenglik-impuls o‘zgarmas kuchlanish o‘zgartkichi modelining sxemasi