|
JOBA
Kirisiw
Teň salmaqli emes jagʻdayda p-n otiw
P-n otiwdiň volt-amper xarakteristikasi
P-n otiwdiň tesiliw túrleri
P-n otiwdiň elektr parametleri
Kirisiw
P-n- ótiw (n - keri - keri, elektron, p - oń - oń, tesik) yamasa elektron tesikke ótiw - birdey homojuntsiya, P-n zonası yarım ótkezgish regioni dep ataladı, ol jaǵdayda elektronnan ótkezgishlik túrindegi keńislikdegi ózgeris júz beredi n tesikke p.
Eger a p-n- ótiw qospalardı monokristalli yarım ótkezgishge qosıp alıw, keyininen n- ga r-area kútpegende payda boladı (keskin ótiw). Eger qospalardıń diffuziyasidan paydalanılsa, ol jaǵdayda tegis ótiw payda boladı.
Energiya diagramması p-n- ótiw. a) teń salmaqlılıq b) aldınǵa kernew menen v) teris kernew menen
Eki aymaq baylanısda bolǵanda n- hám p- zaryad tasıwshılardıń koncentratsion gradyani sebepli tarqalıwı, ekinshisiniń tarqalıwı keri túrdegi elektr ótkezgishligi bolǵan regionda júz boladı. IN p-tesikler diffuziyasidan keyin kontaktga jaqın regionlar, kompensatsiyalanbaǵan ionlanǵan qabıl etiwshiler (keri statsionar zaryadlar ) qaladı hám n- regionlar - kompensatsiyalanbaǵan ionlanǵan donorlar (oń statsionar zaryadlar).
Teň salmaqli emes jagʻdayda
P-n otiw
Diodlarning eń zárúrli qásiyetleri bolıp, bir jóneliste olardıń qarsılıqları
Júdá kem, oǵan keri baǵıtda qarsılıq kútá úlken bolıwı esaplanadı.
Diodlarni multimetr járdeminde ólshewde, multimetr tómen Om ma`nisin
Kórsetedi, bul baha diodning qarsılıgı ma`nisi bolıp esaplanbaydı, bálki
Diodning ótiwlerindegi kernew túsiwin ańlatadı. Multimetr arqalı tek ǵana
Diodning jumıs jaǵdayın tekseriw múmkin esaplanadı. Eger bir jóneliste tómen
Ko’satkich, basqa jóneliste júdá joqarı kórsetkish alınsa, bunday jaǵdayda diod
Jumısshı g’olatida boladı.
Eger diod shınjırǵa jalǵanǵanda anoddagi kernew katoddagi kernewden
Joqarı bolsa, ol halda diod tap tómen bahalı rezistor sıyaqlı isleydi hám odan tok
Oqib ótedi. Eger diod keri jalǵanǵan bolsa, ol halda ol úlken qarsılıqqa
Iye rezistor sıyaqlı islep, odan tok oqib ótpeydi. Birinshi jaǵdayda diod
Ótkeriwshi, ekinshi jaǵdayda teris baylanıslı diod dep ataladı. 1-suwretde túrli
Diodlarning kórinisleri kórsetilgen. Bul diodlarning sxemalarda kórsetiliwi 2-
Suwretde kórsetilgen. Házirde ámeliyatda qollanılatuǵın arnawlı jaratılǵan
Diodlardan paydalanılıp atır. Olarǵa joqarı tok diodlarini, joqarı operativlikte
Isleytuǵın diodlarni, tómen kernew túsiwinde, jaqtılıqnı sezuvchi hám túrli
Kólem degi diodlarni kirgiziw múmkin.
P-n otiwdiň volt-amper
Xarakteristikasi
Volt - amper xarakteristikasınan kórinip turıptı, olda yarım ótkeriwshili diod da nochiziqli elementler qatarına kiredi Diodlardan signallardı tuwırlaw, detektorlaw, modulyatsiyalaw jumıslarında paydalanıladı.
Tuwrılaǵısh diodlar tómen chastotalı ( <50 kGts ) ózgeriwshen toklardı tuwırlawda isletiledi. Tayarlanıw texnologiyasına kóre diodlar tegis diodlarda p- n ótiwdiń júzin belgileytuǵın ólshemler onıń qalıńlıǵına salıstırǵanda úlken boladı.
Tuwrılaǵısh diodlar retinde tiykarınan tegis diodlar isletiledi Tuwrı jóneliste ótetuǵın tuwırlanǵan tok kúshi.
1600 A ge shekem, keri baǵıtda 1000 v ge shekem kernewge mólsherlengen diodlar islep shiǵarıladı. Bunday úlken júzimdi ótkeriwshi diodlar jumıs processinde qıziydi. Usınıń sebepinen diodlarga ıssılıqtı sashatuǵın radiatorlar kiydirilib montaj etiledi. Kremniyli tuwırlaǵısh diodlarning jumısshı temperaturası 1250 C ge shekem bolıwı múmkin.
P-n otiwdiň tesiliw túrleri
Joqarida aytıp ótilgeni sıyaqlı, onsha úlken bo Joqarıda lmaǵan teris kernewlerde I0 ma`nisi úlken emes. Teris kernew málim shegaralıq bahaǵa UChYeG jetkende, teris tok keskin artıp ketedi, ótiwdiń elektr tesiliwi júz beredi.
Ótiwdiń tesiliw túrleri eki gruppaǵa bólinedi: elektr hám ıssılıq. Elektr tesiliwiniń eki mexanizmi ámeldegi: qulama qarsimon hám tunnel tesiliw.
Qulama qarsimon tesiliw salıstırǵanda keń p-n ótiwlerde júz boladı. Bunday ótiwde teris kernewde elektron hám gewekler zarba ionizatsiyasi ushın jetkilikli bolǵan energiya aladılar hám nátiyjede qosımsha elektron -gewek jup payda boladı. Bul juplıqlardıń hár bir quraytuǵınsı, óz gezeginde, elektr maydanında tezlashib, taǵı jańa juplıqtı júzege keltiredi hám t.b Zaryad tasıwshılardıń bunday qulama qarsimon kóbeyiwi nátiyjesinde ótiwdegi tok keskin artadı.
Tar p-n ótiwge iye bolǵan yarım ótkeriwshilerde tunnel effektine tiykarlanǵan tunnel tesiliw júz boladı. UTYeS UChYeG jetkende zaryad tasıwshılardıń bir tarawdan ekinshisine energiya sarp etiw etpesten ótiwine múmkinshilik jaratıladı (tunnel effekti). UChYeGning jáne de artpaqtası menen sonsha kóp zaryad tasıwshılar tunnel ótiwi júz etediler hám teris tok keskin artıp baradı.
P-n otiwdiň elektr
Parametrleri
Yarım ótkeriwshili diod dep, yarım ótkeriwshili kristallda n-p ótiwdi ónim
Etken, eki tarawdıń shegaralarına tok ótkeriwshii sımlardan tayarlanǵan elektrod
Eritib yamasa kepserlenip jalǵanǵan ásbapǵa aytıladı. Házirgi waqıtta jáhán sanaatında
Tómen hám joqarı quwatlı yarım ótkeriwshili diodlar kóplegen islep shıǵarılǵan hám
Olar túrli tarawlarda júdá keń paydalanıladı.
Diodlar yarım ótkeriwshili materiallardan tayarlanadı. Diodlarning
Belgileniwinde birinshi hárıbi qaysı materialdan tayarlanǵanlıǵın ańlatadı, eger A
Bolsa germaniy tiykarındaǵı diod, v bolsa kremniy tiykarındaǵı diod esaplanadı. Olar
Shıyshe, metal hám plastik korpusqa jaylastırıladı.
Diodlar eki ótkezgishlikke iye, yaǵnıy K-katod hám A-anod.
Do'stlaringiz bilan baham: |
