Kuchaytrgichlar

k
к
э
J
Е
R
)
3
,
0
1
,
0
(


R
2 
- rezistor esa 
кир
R
R
)
15
5
(
2


bu erda R
kir
– ishchi nuqtadagi 
tranzistorning kirish qarshiligi ishchi nuqtadagi U
be
– baza emitter kuchlanishi 
temperatura oshishi bilan oshadi. 
I
k 
I
k0 
T
1 
P
A
o’
I
б4 
I
б3 
I
б2 
I
б1 
I
б0 
U
k 
U
k0 
P
A
o’
I
k 
I`
k0 
T
2
>T
1 
U
k 
U`
k0 
С 
U
кир 
R
2 
R
1 
R
k 
R
э 
Сэ 
- 
+ 

---

10.13-rasm. 
Temperaturaga bog’liq bo’lgan I
kbo
– tok oshishi natijasida R
2
qarshilikdagi
kuchlanish oshadi. U bilan bir vaqtda R
e
rezistordagi kuchlanish ham ortadi. Sxema 
elementlari shunday tanlanishi mumkinki, bunda R
2
qarshilikdagi kuchlanish 
qancha oshsa, R
e 
qarshilikdagi kuchlanish ham taqriban o’shancha oshadi. Natijada 
tranzistorning boshqaruvchi o’tishdagi U
be
– kuchlanish juda kam miqdorda 
o’zgaradi, bu esa ishchi nuqtani (temperatura o’zgarishiga qaramasdan) stabilligini 
taʻminlaydi. Yuqorida taʻkidlanganidek, tranzistor ish rejimini stabil bo’lishini 
taʻminlashning keng tarqalgan usullaridan biri emitter zanjiriga o’zaro parallel qilib 
ulangan R
e
va S
e
elementlarni kiritishdir (10.13- rasm). Kuchaytirgichning kirishiga 
signal berilganda emitter tokining o’zgaruvchan tashkil etuvchisi hosil bo’ladi. 
Uning R
e
qarshilikdagi potentsial tushuvidan qutilish uchun emitter zanjiriga 
kiritiladigan kondensatorning sig’im qarshiligi emitter qarshilikdan juda kichik 
bo’lishi kerak yaʻni 
э
э
н
R
С


1