Mavzu: Rezistorlar. Kondensatorlar. Yarim o‘tkazgichli diodlar va tranzistorlar. Rezistorlar

Yarimo‘tkazgichli diodning tuzilishi
Yarimo’tkazgichli diodlarning ko’pchilik qismi o’zidan aralashmaning turli xil konsentratsiyasiga ega va elektron-kavak o’tish bilan bo’lingan n-tur va p-turga ega sohalardan tashkil topgan strukturani ifodalaydi. Aralashmaning yuqori konsentratsiya sohasi (1018 cm–3 tartibida) ni emitter, past yuqori konsentratsiya sohasi (10141016 cm–3 tartibida) ni baza deb atashadi. Elektron-kavakli strukturalarni yaratishning turli xil usullari mavjud.
р-n-strukturani tayyorlashda sust elektron o’tkazuvchanlikli germaniy kristaliga indiy, galliy yoki bor tabletkasi eritilib kiritilish usuli bilan kiritiladi. Termik ishlov berish jarayonida tabletka va unga yopishib turgan germaniy qatlami
eriydi va germaniy erigan aralashmada aralashib ketadi. Sovigandan so’ng kristallning sirtida yaqqol ifodlangan kavakli o’tkazuvchanli yupqa germaniy qatlami hosil bo’ladi. Bu holda elektrin-kavakli o’tish aniq bo’ladi.
Diodni diffusion usul bilan tayyorlashda, sust ifodalangan electron o’tkazuvchanli kremniy plastinasi sirtida vakuumli purkash yo’li bilan aluminiy qatlami hosil qilinadi. Termik ishlov berish jarayonida aluminiy atomlari kristallning ichiga chuqur diffuziyalanib kiradi, buning natijada kavakli o’tkazuvchanlikli qatlam hosil bo„ladi. Bu yo’l bilan olingan diodlarning hususiyatlari bo’lib, kiritilgan aralashmaning konsentratsiyasini chuqurroq kirishi bilan kamayishi, natijada р-n- o’tishning bir tekis bo’lishi hisoblanadi.
Diodlarni tayyorlashda epitaksal o„stirish usuli yordamida aniq elektr o„tkazuvchanlikka ega kremniy plastinaga, kremniy xloidi parlaridan, donor yoki akseptor aralashmaga ega kremniy atomlarini qoplanadi. Qoplanayotgan atomlar kremniy plastinaning kristall strukturasini takrorlaydi, natijada bir qismi elektron, ikkinchisi esa kavali o’tkazuvchanlikka ega monokristall hosil bo’ladi.
Shuningdek, elektron o’tkazuvchanlikka ega yaxshi silliqlangan germaniy yoki kremniy plastinaga tiralgan metall ignali nuqtaviy diodlar ham mavjud. Ishlab chiqarish jarayonida yarimo’tkazgich bilan kontaktga keluvchi igna uchini elektrik formalashga yo’liqtiriladi, bu esa kontakt orqali kuchli tok impulslarini o’tkazishdan iboratdir. Bunda kontaktni mahalliy qizishi ro’y beradi va ignaning uchi yarimo’tkazgich bilan qotishma hosil qiladi, bu esa kontaktning stabilligini va mehanik mustahkamligini ta’minlaydi. Bundan tashqari, formalash jarayonida ignaning bir qismi yarimo’tkazgichga diffuziyalanib, nuqtaviy kontakt ostida kavak
O’tkazuvchanli yarimsfera soha hosil qiladi.