Oʼrtа mаxsus tаъlim vаzirligi zаhiriddin muhаmmаd bobur nomidаgi

2 .3.3-расмда. (GaAs)_1-x(Ge₂)_х қаттиқ қоришмасининг молекулаларининг тетраэдрик фазаовий конфигурацияси

2.3.3-расмда GaAs кристалл панжарасида Ge ва GaAs атомлари ҳосил қилган нанокластерлар ичидаги тетраэдрал боғларнинг фазовий конфигурациялари келтирилган. (GaAs)_1-x(Ge₂)_х қаттиқ қоришмасидаги бу нанокластер 3 As-Ge, 1 Gе-Ge ва 3 Ga-Ge боғларни яъни 8 Ga, Ge ва As атомларини қамраб олади. Олмоссимон тузилишга эга бўлган материалларнинг бирлик ҳужайраси 8 атомдан иборат бўлгани учун нанокластернинг чизиқли ўлчами 5.6; 5.6; 5.6 Ǻ, GaAs кристалл панжараси доимийсига деярли тенг. Бу эса ўрганилаётган қаттиқ қоришманинг асосий кристалл панжараси GaAs ва Ge, яъни GaAs_1-xGe_x дан иборат деб фараз қилишга имкон беради. Бундан ташқари, GaAs кристалл панжарасидаги баъзи Ge атомлари бир текис тақсимланган, қолганлари эса нотекис тақсимланган бўлиб, асосий кристалл панжарасининг нуқсонга мойил соҳаларида бу киришмлар ўз-ўзидан шаклланувчи Ge нанокристалларини ҳосил қилади.
Шундай қилиб, Wolfram Mathematics 7 дастури ёрдамида GaAs – p-(GaAs)_1-х(Ge₂)_x гетероструктураларнинг фотосезгирлик спектрларини таҳлил қилиш натижалари умумий Гаусс чизиғи спектрида 1.1 эВ ва As-Ge, Gе-Ge ва Ga-Ge бирикмаларига мос келувчи учта компонентли фотон энергиясига эга бўлган ўта узун тўлқин соҳа мавжудлигини кўрсатди. Улар галлий арсениднинг ман этилган ва валент соҳаларида бундай бирикмалар билан боғлиқ тегишли энергетик сатҳлар ҳосил бўлишини тасдиқлайди.
2.4 §. n-GaP–р-(GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y гетеротузилманинг фотоэлектрик хоссаси
Ушбу бўлимда n-GaP – (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y гетеротузилмаларсининг фотоэлектрик хоссалари тадқиқотларининг экспериментал натижалари келтирилган. Тузилмалар қалинлиги ~ 400 мкм бўлган, (111) кристаллографик ориентацияга эга бўлган монокристал тагликларга суюқфазали эпитаксия усули билан олинган (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y қаттиқ қоришмларини ўстириш асосиди тайёрланди. Арлашма эритманинг таркиби ҳамда кристалланишнинг бошланиш ҳарорати дастлабки тажрибалар натижалар ва кўпкомпонентли GaAs–Ge–ZnSe–Sn тизилма асосида танлаб олинди. Олинган эпитаксиал қатламлар р-тур ўтказувчанликка эга бўлиб, солиштирма қаршилиги 10 Омсм ва ток ташувчилар концентрацияси 1,5 10¹⁶ см^-3 га тенг бўлиб, қалинлиги 10 мкмни ташкил этади.
Ўстирилган (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_х(ZnSe)_у қаттиқ қоришмали эпитаксал қатламнинг 4 К ҳароратдаги фотолюминесценция спектри ўрганилди. 10-расмда (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_х(ZnSe)_у қаттиқ қоришмали эпитаксиал қатламнинг фотолюминесценция спектри келтирилган. Фотолюминесценция суюқ гелий ҳароратида (4 К) эпитаксиал қатламдан лазер нурланиши ( _л=325 нм) билан қўзғатилди ва намунадан чиқаётган сигналларни СДЛ-2 детектори ёрдамида қайд қилинди. 2.4.1-расмда. -расмдан, (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_х(ZnSe)_у қаттиқ қоришмаси кўзга кўринувчи нурларни тўла қамраб олган кенг спектрга эга бўлиб, энг юқори интенсивликдага фоточўққи _max = 457 нм да кузатилган. Бу фоточўққи ZnSe монокристали таъқиқланган соҳаси 2.7 эВ га мос келади тенг.