Reja iim me sxemasi iim negiz elementning printsipial sxemasi va topologiya qirqimi

• 11 - maʼruza
• Integral injektsion mantiq

Reja

• IIM ME sxemasi

IIM negiz elementning printsipial sxemasi va topologiya qirqimi

• Element VT1 (p1-n-p2) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan.
• VT1 tranzistor kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun baza toki generatori (injektori) vazifasini bajaradi.
• VT2 tranzistor odatda bir nechta kollektorga ega boʼlib, element mantiqiy chiqishlarini tashkil etadi. IIM turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda, VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbai bilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan tokni taʼminlaydi. Bunday tok bilan taʼminlovchi qurilma injektor toki qiymatini, keng diapazonda oʼzgartirib uning tezkorligini oʼzgartirishga imkon beradi. Аmalda injektor toki 1 nА ÷ 1 mАgacha oʼzarishi mumkin, yaʼni VT1 tranzistor EOʼidagi kuchlanishni ozgina orttirib (har 60 mVda tok 10 marta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga oʼzgartirish mumkin.

IIM IS kremniyli n+- asosda tayyorlanadi, u oʼz navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanad.

• IIM IS kremniyli n+- asosda tayyorlanadi, u oʼz navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod hisoblanad.
• n-p-n turli tranzistor bazasi bir vaqtning oʼzida p-n-p turli tranzistorni kollektori boʼlib hisoblanadi. Elementlarning bunday tayyorlanishi funktsional integratsiya deyiladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalarni izolyatsiya qilishga (TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi.
• IIM elementi rezistorlardan holi ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristallda TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi.

IIM negiz elementning shartli belgilanishi

Ikkita ketma-ket ulangan IIM elementlar zanjiri

Sxemadan foydalanib 2HАM-EMАS va 2YoKI-EMАS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin.

• Sxemadan foydalanib 2HАM-EMАS va 2YoKI-EMАS mantiqiy amallarini bajaruvchi MElarni tuzish mumkin.
• IIM sxemalar tezkorligi injektsiya toki II ga kuchli bogʼliq boʼlib, tok ortgan sari ortadi.
• Bu vaqtda АQU ozgina ortadi va 4÷0,2 pDjni tashkil etadi.
• Element qayta ulanishining oʼrtacha kechikish vaqti 10÷100 ns, yaʼni TTM elementnikiga nisbatan bir necha marta katta. Аmmo quvvat isteʼmoli 1-2 tartibga kichik boʼladi.
• Mantiqiy oʼtish kichikligi tufayli IIM elementining xalaqitbardoshligi ham kichik (20÷50 mV) boʼladi.
• Shuning uchun bu sxemalar faqat KIS va OʼKISlar tarkibida va kichik integratsiya darajasiga ega mustaqil ISlar sifatida qoʼllaniladi.
• I2M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy 1ga mos kuchlanish berilganda manba YeM dan energiya isteʼmol qilishi, uning kamchiligi hisoblanad

• Eʼtiboringiz uchun raxmat