Telekommunikaciya texnologiyalarí HÁm kásiplik tálim”

QARAQALPAQSTAN RESPUBLIKASI JOQARI HA’M ORTA ARNAWLI BILIMLENDIRIW MINISTIRLIGI
MUHAMMED AL-XORAZMIY ATINDAG’I TASHKENT INFORMACIYALIQ TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NUKUS FILIALI

“TELEKOMMUNIKACIYA TEXNOLOGIYALARÍ HÁM KÁSIPLIK TÁLIM” fakulteti
“Telekommunikaciya texnologiyalari» baǵdarı
2-kurs studenti
Eshpanov Q
“Elektronika ha’m sxemalar”
páninen
O’Z BETINSHE JUMÍSÍ
TEMA: Maydanli tranzistorlar (MT)

Qabillag’an: Babajanova T
Tapsirg’an: Eshpanov Q
TEMA: Maydanli tranzistorlar (MT)
Joba :
1. Maydanli tranzistordin’ du’zilisi ha’m islew printsipi
2. Maydanli tranzistordın’ statikalıq xarakteristikaları
3. Maydanli tranzistordın’ tiykarg’i parametrleri

Maydanli tranzistor

Maydanli transistor (MT) dep, tok kúshi ma`nisin basqarıw ychun ótkeriwshi kanal daǵı elektr ótkezgishligikni ózgertiw esabına elektr maydan ózgeriwi menen basqarılatuǵın yarım ótkeriwshili aktiv ásbapǵa aytıladı.
Maydanli tranzistorlar túrli elektr signallar hám quwattı kúsheytiw ushın mólsherlengen. Maydanli tranzistorlarda bipolyar tranzistorlardan ayrıqsha túrde tok tashkil bolıwında tek bir túrdegi zaryad tasıwshılar qatnasadı : yamasa elektronlar, yamasa gewekler. Sol sebepli olar yana unipolyar tranzistorlar dep da ataladı.
Maydanli tranzistorlardıń dúzilisi hám kanal ótkezgishligine kóre eki túri ámeldegi: p-n o'tish menen basqarılatuǵın maydaniy tranzistor hám de metall - dielektrik - yarım ótkeriwshili (MDYa) dúzılıwǵa iye bolǵan zatvori izolyatsiyalangan maydaniy tranzistorlar. Olar MDYa- tranzistorlar dep da ataladılar.
p-n o'tish menen basqarılatuǵın maydaniy tranzistor. 27 - suwretde n-kanallı p-n o'tish menen basqarılatuǵın maydaniy tranzistordıń dúzilisiniń kesindii (a) jáne onıń shártli belgisi (b) keltirilgen N-túrdegi tarawdıń kanal dep ataladı.

a) b)
27 – su’wret.

Kanalǵa zaryad tasıwshılar kirgizetuǵın kontakt istok (I); zaryad tasıwshılar shıǵıp ketetuǵın kontakt stok (S) dep ataladı. Zatvor (Z) basqarıwshı elektrod esaplanadı. Zatvor hám istok aralıǵına kernew berilgende júzege keletuǵın elektr maydanı kanal ótkezgishligin, nátiyjede kanaldan oqib ótip atırǵan júzimdi ózgertiredi. Zatvor retinde kanalǵa salıstırǵanda ótkezgishligi teris túrdegi tarawdıń qollanıladı. Jumısshı rejimde ol teris jalǵanǵan bolıp kanal menen p - n ótiw payda etedi.
Kanaldıń ótkezgishligi onıń qarsılıgı menen anıqlanadı, bul jerde - kanal materialınıń salıstırma qarsılıgı, l- uzınlıǵı, S - kanaldıń kese kesim maydanı. Sırtqı kernew ámeldegi bolmaǵanda kanal uzınlıǵı boylap zatvor astındaǵı kanaldıń kese kesim maydanı birdey boladı. Berilgen qutblanishda zatvor hám istok aralıǵına sırtqı kernew berilsa UZI p-n ótiw keri baǵıtda jıljıydı, kanal tárepke kengayadi, nátiyjede kanal uzınlıǵı boylap kanaldıń kese kesim maydanı bir tegis torayadi. Kanal qarsılıgı artadı, lekin shıǵıw tokı IS = 0 boladı, sebebi USI=0 (28 a - súwret).
a) 28-su’wret
Eger istok hám stok aralıǵına kernew dáregi ulansa, ol halda kanal boylap istokdan stok tárepke elektronlar ıǵıwı baslanadı, yaǵnıy kanal arqalı stok tokı IS oqib oǵada baslaydı. Kernew dáregi USI dıń jalǵanıwı p-n ótiw keńligine de tásir kórsetedi, sebebi ótiw kernewi kanal uzınlıǵı boylap túrlishe boladı. Kanal potensialı onıń uzınlıǵı boylap ózgeredi: istok potensialı nolǵa teń bolıp, stok tárepke artıp baradı, stok potensialı bolsa USI ga teń boladı. P-n ótiwdegi teris kernew istok qasında ǵa, stok qasında bolsa teng boladı. Nátiyjede ótiw keńligi stok tárepte úlkenlew bolıp, kanal kesimi stok tóbeoga azayıp baradı (28. b-su'wret).
b) 28-su’wret
Solay etip, kanal arqalı oqib ótip atırǵan júzimdi UZI kernew ma`nisini (kanal kesimin ózgertiredi) hám de USI kernew ma`nisin (tok hám kanal uzınlıǵı boylap kesimdi ózgertiredi) basqarıw múmkin. Istok tárepte kanal keńligi berilgen UZI ma`nisi menen, stok tárepte bolsa UZI+ USI yig'indi ma`nisi menen anıqlanadı. USI ma`nisi qansha úlken bolsa, kanaldıń ponaligi (klinovidnost) jáne onıń qarsılıgı sonsha úlken boladı.
Kanaldıń kese kesimi nolǵa teń bolatuǵın waqıttaǵı zatvor kernewi tuyıqilish kernewi U_ZI.BERK. dep ataladı.
Bipolyar tranzistor dep óz-ara tásirleniwshi eki p-n ótiw va ush elektrod (sırtqı shıǵıwlar ) ga iye bolǵan yarım ótkeriwshi ásbapǵa aytıladı. Tranzistordan tok oqib ótiwi eki túrdegi zaryad tasıwshılar - elektron hám geweklerdiń háreketine tiykarlanǵan.
Bipolyar tranzistor r-n-r hám n-p-n ótkezgishlikke iye bolǵan ush yarım ótkeriwshinen shólkemlesken (4. 1 a hám b-su'wret). Keleside keń tarqalǵan n-p-n strukturalı bipolyar tranzistordı kórip shıǵamız.
Tranzistordıń kúshli legirlangan shetki tarawı (n^Q - taraw) emitter dep ataladı hám ol zaryad tasıwshılardı baza dep atalıwshı orta tarawǵa (r - taraw) injeksiyalaydi. Keyingi shet tarawdıń (n - tarawdıń) kollektor dep ataladı. Ol emiitterga salıstırǵanda kúshsizlew legirlangan bolıp, zaryad tasıwshılardı baza salasından ekstraksiyalash ushın xızmet etedi (4. 2- súwret). Emitter hám baza aralıǵindaǵı ótiw emitter ótiw, kollektor hám baza aralıǵindaǵı ótiw bolsa -kollektor ótiw dep ataladı.
4.1-súwret.
Sırtqı kernew dárekleri (UEB, UKB) járdeminde emitter ótiw tuwrı jóneliste, kollektor ótiw bolsa - keri baǵıtda jıljıydı. Bul halda tranzistor aktiv yamasa normal rejimde isleydi jáne onıń kúsheytiw ózgeshelikleri sa’wlelenedi.

4. 2 - súwret.
Eger emitter ótiw keri baǵıtda, kollektor ótiw bolsa tuwrı jóneliste jıljıǵan bolsa, ol halda bul tranzistor invers yamasa teris jalǵanǵan dep ataladı. Tranzistor cifrlı sxemalarda qollanılǵanda ol to'yiniw rejiminde (eki ótiw de tuwrı jóneliste jıljıǵan ), yamasa tuyıq rejimde (eki ótiw teris jıljıǵan ) islewi múmkin.
Tranzistor sxemaǵa jalg’anip atirg’anda shıǵıwlarınan biri kirisiw hám shıǵıw shınjırı ushın ulıwma etip jalǵanadı, bul jag’dayda tómendegi jalǵanıw sxemaları bar: ulıwma baza (UB) (4. 3 a-su'wret); ulıwma emitter (UE) (4. 3 b-su'wret); ulıwma kollektor (UK) (4. 3 v- súwret). Bul waqıtta ulıwma shıǵıw potensialı nolge teń dep alınadı. Kernew dáregi polyusı hám tranzistor toklarınıń baǵdarı tranzistordıń aktiv rejimine sáykes keledi. UB jalǵanıw sxeması qatar kemshiliklerge iye bolıp, júdá kem isletiledi.

Bipolyar tranzistordin’ aktiv rejimde islewi. UB jalg’aniw sxemasinda aktiv rejimde islep atirg’an n-p-n sistemali diffuziyali qosimtali bipolyar tranzistordi o’zgermes toqta islewin ko’rip shig’amiz. (4.3 a-su’wret). Bipolyar tranzistordin’ normal islewinin’ tiykarg’i talabi bolipbaza tarawinin’ jeterlishe kishi ken’ligi W esaplanadi; bul waqitta Wsha’rti a’lbette orinlaniwi kerek. (L-bazadag’i tiykarg’i bolmag’an zaryad tasiwshilardin’ diffuziya uzinlig’i).
Bipolyar tranzistordin’ islewi u’sh tiykarg’i ha’diysege tiykarlang’an:
- emitterden bazag’a zaryad tasiwshilardin’ injeksiyasi;
- bazag’a injeksiyalang’an zaryad tasiwshilardin’ kollektorg’a o’tiwi;
- bazag’a injeksiyalang’an zaryad tasiwshilar ha’m kollektor otiwge jetip kelgen tiykarg’i bolmag’an zaryad tasiwshilardibazadan kollektorg’a ekstraksiyasi.
Emitter o’tiw tuwri jo’neliste jiljig’anda (U_EB ku’shleniw deregi menen ta’miynlenedi) onin’ potensial tosiq ba’lentligi kemeyedi ha’m emitterden bazag’a elektronlar injeksiyasi ju’z beredi. Elektronlardin’ bazag’a injeksiyasi, ha’m de geweklerdi bazadan emitterge injeksiyasi sebepli emitter toki I_E qa’liplesedi.
Bul jerde Ien, Ier uyqas túrde elektron hám geweklerdiń injeksiya tokları. Solay etip, emitter toki
, (4.1)

bul jerde I_en, I_er sa’ykes tu’rde elektron ha’m geweklerdin’ injeksiya toklari. Emitter tokınıń I_er payda etiwshisi kollektor arqalı og’ip ótpeydi hám zıyanlı esaplanadı (tranzistordıń qosımsha qızıwına alıp keledi). I_er ni kemeytiw maqsetinde baza daǵı akseptor kiritpe konsentraciyası emitterdagi donor kiritpe konsentraciyasına salıstırǵanda eki dárejege kemeytiriledi.

Emitter tokı daǵı I_en bólegin injeksiya koefficiyenti anıqlaydı.
, (4.2)
Bul shama emitter ishi natiyjeliligin xarakterleydi ( q0, 990 -0, 995). Injeksiyalangan elektronlar kollektor ótiw tárep baza uzınlıǵı boylap elektronlar qısıqlıǵınıń azayıwı esabına bazaǵa diffundlanadilar va kollektor ótiwge yetgach, kollektorǵa ekstraksiyalanadilar (kollektor ótiw elektr maydanı esabına tartıp alınadılar ) hám I_Kn kollektor tokı payda boladı.
Tıǵızlıqtıń azayıwı konsentraciya gradienti dep ataladı. Gradient qansha úlken bolsa, tok da sonsha úlken boladı. Bul waqıtta bazadan injeksiyalanyotgan elektronlardıń bir bólegi gewekler menen bazaǵa ekstraksiyalanishini da esapqa alıw kerek. Rekombinatsiya procesi bazanıń elektr neytrallıq shártini qayta tiklew ushın talap etiletuǵın geweklerdiń kemshiligin júzege keltiredi. Talap qılınıp atırǵan gewekler baza shınjırı boylap kelip tranzistor baza tokı I_brek ti júzege keltiredi. I_brek tokı kerek emes esaplanadı hám usınıń sebepinen onı kemeytiwge háreket etiledi. Bul jaǵday baza keńligin kemeytiw esabına ámelge asıriladı WLn (elektronlardıń diffuziya uzınlıǵı ). Bazadaǵı rekombinatsiya ushın emitter elektron tokınıń joǵatılıwı elektronlardıń uzatıw koefficienti menen xarakterlenedi: (4.3).
Real tranzistorlarda q0, 980-0, 995.
Aktiv rejimde tranzistorning kollektor ótiwi teris yo'naliishda jalǵanadı (Ukb kernew dáregi esabına ámelge asıriladı ) hám kollektor shınjırında, tiykarǵı bolmaǵan zaryad tasıwshılardan shólkemlesken eki ıǵıw toklarınan ibarat bolǵan kollektordıń jeke tokı Ik₀ ag’ip ótedi.
Solay etip, kollektor tokı eki payda etiwshiden ibarat boladı

Eger I_Kn ni emitterning tolıq tokı menen baylanısın esapqa alsaq, ol halda,
(4. 4)
bul jerde  - emitter tokınıń uzatıw koefficienti. Bul shama UB jalǵanıw sxemasındaǵı tranzistordı kúsheytiw ózgesheliklerin sa’wlelendiredi.
Kirxgofning birinshi nızamına uyqas túrde baza tokı tranzistordıń basqa tokları menen tómendegi koefficientte baylanıslı
(4.5)
Bul ko’rinisti (4.4) ke qoyip, baza tokinin’ emitterdin’ toliq toki arqali sa’wleleniwin aliwimiz mu’mkin:
(4.6)
Koeffitsienti 1 ligini esapqa alg’an halda, sonday sheshimge keliw mu’mkin: UB jalg’aniw sxemasi tok boyinsha ku’sheyiw bermeydi ( ).
Tok boyınsha jaqsı kúsheytiw nátiyjelerin ulıwma emitter sxemasında jalǵanǵan tranzistorda alıw múmkin (4. 3 b-su'wret). Bul sxemada emitter ulıwma elektrod, baza tokı - kirisiw tokı, kollektor tokı bolsa - shıǵıw tokı esaplanadı.
(4. 4) hám (4. 5) ańlatpalardan kelip shıqqan halda UE sxema daǵı tranzistordıń kollektor tokı tómendegi kóriniske iye boladı :

.
Bunnan
. (4.7)
Eger belgilew kiritilse, (4.7) an’latpani to’mendegishe jaziw mu’mkin:
. (4.8)

Koefficiyent - baza tokınıń uzatıw koefficienti dep ataladı. nin’ ma’nisi onnan ju’zge shekem, bazi transistor tu’rlerinde bolsa bir neshe min’g’a shekem aralig’inda boliwi mu’mkin. Solay eken, UE sxemasında jalǵanǵan tranzistor tok boyınsha jaqsı kúsheytiw ózgesheliklerine iye esaplanadı. Bipolyar tranzistor statikalıq xarakteristikaları

Tranzistor statikalıq xarakteristikaları kollektor shınjırına júkleme qoyılmaǵan halda ornatılǵan kirisiw hám shıǵıw tokları hám kernewler arasındaǵı óz-ara baylanıslılıqtı ańlatadı. Hár bir jalǵanıw ushın statikalıq xarakteristikalar shańaraǵı málimlemelerde keltiriledi. Eń túpkiliklileri bolıp tranzistordıń kiriw hám shıǵıw xarakteristikaları esaplanadı. Qalǵan xarakteristikalar kirisiw hám shıǵıw xarakteristikalarınan payda etiwi múmkin.
UB sxeması ushın kirisiw statikalıq xarakteristikası bolıp U_KB q const bolǵandaǵı I_Eqf (U_EB) baylanıslılıq, UE sxeması ushın bolsa U_KE q const bolǵandaǵı I_Bqf (U_BE) baylanıslılıq esaplanadı. Kiriw xarakteristikalarining ulıwma xarakteri ádetde tuwrı jóneliste jalǵanǵan p-n menen anıqlanadı. Usınıń sebepinen sırtqı kórinisine kóre kirisiw xarakteristiklari eksponensial xarakterge iye (4. 4- súwret).
Súwretlerden kórinip turıptı, shıǵıw kernewiniń ózgeriwi kiriw xarakteristiklarini jıljiwina alıp keledi. Xarakteristikanıń jılısıwı Erli effekti (baza keńliginiń modulyatsiyası ) menen anıqlanadı. Bunıń mánisi sonda, kollektor ótiwdegi teris kernewdiń artpaqtası onıń keńeyiwine alıp keledi, bul waqıtta baza salasındaǵı keńeyiw onıń keńliginiń kishreyiwi esabına júz boladı. Baza keńliginiń kishreyiwi eki effektke alıp keledi: zaryad tasıwshılar rekombinatsiyasining azayıwı esabına baza tokınıń azayıwı hám baza daǵı tiykarǵı bolmaǵan zaryad tasıwshılar konsentraciya gradientining artpaqtası esabına emitter tokınıń artiwi.

4. 4 - súwret.
Sol sebepinen kollektor ótiwdegi teris kulanishning artpaqtası menen UB sxema daǵı kirisiw xarakteristika shepke, UE sxemada bolsa ońǵa jıljıydı.
UB sxema daǵı tranzistordıń shıǵıw xarakteristikaları shańaraǵı bolıp I_E qconst bolǵandaǵı I_Kq f (U_KB) baylanıslılıq, UE sxemada bolsa I_B qconst bolǵandaǵı I_Kq f (U_KE) baylanıslılıq esaplanadı.
Shıǵıw xarakteristikaları kórinisine kóre teris jalǵanǵan diod vAX sina uqsaydı, sebebi kollektor ótiw teris jalǵanǵan. Xarakteristikalardı qurıwda kollektor ótiwdiń teris kernewin ońda ornatıw qabıl etilgen (4. 5 - súwret).

4. 5 - súwret.
4. 5 a - suwretden kórinip turıptı, olda, UB sxema daǵı shıǵıw xarakteris-tikalari eki kvadrantlarda jaylasqan : birinshi kvadrantdagi vAX aktiv jumıs rejimine, ekinshi kvadrantdagisi bolsa - to'yinish jumıs rejimine sáykes keledi. Aktiv rejimde shıǵıw tokı (4. 4) koefficient menen anıqlanadı. Aktiv rejimge uyqas keliwshi xarakteristika tarawları abssissa oǵına onsha úlken bolmaǵan qıyalıqta, derlik parallel ótediler. Qıyalıq joqarıda aytıp ótilgen Erli effekti menen tusintiriledi. I_Eq0 bolǵanda (emitter shınjırı úzilgende) shıǵıw xarakteristikası teris jıljıǵan kollektor ótiw xarakteristikası kórinisinde boladı. Emitter ótiw tuwrı jóneliste jalǵanǵanda injeksiya tokı payda boladı hám shıǵıw xarakteristiklari u’lkenlikke shepke jiljiydi ha’m t.b.
UE sxemasında jalǵanǵan tranzistordıń shıǵıw xarakteristikası UB sxemada jalǵanǵan tranzistordıń shıǵıw xarakteristikasına salıstırǵanda úlken qıyalıqqa iye. Sebebi onıń kórinisine Erli effekti úlken tásir kórsetedi. Baylanıslılıqlardıń ulıwma xarakteri (4. 5 b-su'wret) kollektor hám baza tokları arasındagi tómendegi baylanıslılıq penen anıqlanadı :
(4.9)
bul jerde I_KE0 - I_Bq0 (úzilgen baza ) bolǵandaǵı kollektordıń tuwrı tokı. I_KE0 tokı I_K0 tokınan ret úlken boladı, sebebi U_BEq0 bolǵanda U_KE kernewiniń bir bólegi emitter ótiwge qoyılǵan boladı jáne onı tuwrı jóneliste jıljıtadı. Solay etip, I_KE0 q ( ) I_K0 - ádewir ulken tok bolıp, tranzistor jumısınıń aynıwın aldın alıw maqsetinde baza shınjırın úziw kerek.
Baza tokı artig’i menen kollektor tokı u’lkenlikke artadı hám t.b hám xarakteristika joqarıǵa jıljıydı. UE sxema daǵı shıǵıw vAXlarining tiykarǵı ózgesheligi sonda, da aktiv va da to'yinish rejimlerinde bir kvadrantda jaylasadı. YA'ni, elektrodlardıń berilgen kernew belgilerinde de aktiv rejim, de to'yinish rejiminde bolıwı múmkin. Rejimler almasınıwı kollektor ótiwdegi kernewler nolǵa teń bolǵanda júz boladı. Kollektor tarawdıń qarsılıgın esapqa almaǵan halda U_KE q U_KB Q U_BE bolǵanı ushın, talap qılınıp atırǵan bosaǵalıq kernew ma`nisi U<sup>*</sup><sub>KE</sub> q U<sub>BE</sub> boladı. U<sub>BE</sub> ma`nisi berilgen baza tokında kirisiw xarakteristikasınan anıqlanadı.
Tok boyınsha ha’m koeffitsientlar statikalıq parametrler esaplanadı, sebebi olar ózgermeytuǵın toklar qatnasın ańlatadı. Olardan tısqarı tok ózgerisleri qatnası menen ańlatilatug’in differensial kúsheytiw koefficiyentleri de keń qollanıladı. Ctatik hám differensial kúsheytiw koefficiyentleri bir birinen parıq etediler, usınıń sebepinen talap etilgen jaǵdaylarda olar ajratıladı. Tok boyınsha kúsheytiw koefficiyentiniń kollektor daǵı kernewge baylanıslılıǵı Erli effekti menen tusintiriledi.
UE sxeması ushın tok boyınsha differensial kúsheytiw koefficiyenti temperaturaǵa baylanıslı bolıp baza salasındaǵı tiykarǵı bolmaǵan zaryad tasıwshılardıń jasaw waqıtına baylanıslılıǵı menen tusintiriledi. Temperatura ko’teriliwı menen rekombinatsiya processleri páseyiwi sebepli, ádetde tranzistordıń tok boyınsha kúsheytiw koefficiyentiniń ko’teriliwi gúzetiledi.
Tranzistor xarakteristikalarınıń temperaturalıq turaqlı emesligi tiykarǵı kemshilik esaplanadı.
Joqarida kórip ótilgen tok boyınsha uzatıw koefficiyentinen tısqarı, fizikalıq parametrlerge ótiwlerdiń differensial qarsılıqları, tarawlardıń kólemiy qarsılıqları, kernew boyınsha teris baylanıs koefficiyentleri hám ótiw kólemleri kiredi.
Tranzistordıń emitter hám kollektor ótiwleri óziniń differensial qarsılıqları menen ańlatiladi. Emitter ótiw tuwrı jóneliste jıljıǵanlıǵı sebepli, onıń differensial qarsılıgı r_E ni (2. 6 ) ańlatpanı qollap anıqlaw múmkin:
(4.10)
bul jerde I_E – tokdin’ turaqlı payda etiwshisi. Ol kishi ma’niske iye (tok 1 mA bolǵanda r_Eq20 -30 Om ni quraydı ) bolıp, tok artiwi menen azayadı hám temperatura ko’teriliwi menen artadı.
Tranzistordıń kollektor ótiwi keri baǵıtda jıljıǵanlıǵı sebepli, I_K tokı U_KB kernewine kúshsiz baylanıslı boladı. Sol sebepli kollektor ótiwdiń differensial qarsılıgı q1 Mom boladı. r_K qarsılıgı tiykarınan Erli effekti menen tusintiriledi hám ádetde ol jumısshı toklardıń artiwi menen azayadı.
Baza qarsılıgı r_B bir neshe júz Omni quraydı.jetkiliklishe úlken baza tokında baza qarsılıgı daǵı kernew tómenlewi baza hám emittter sırtqı shıǵıwları kernewine salıstırǵanda emitter ótiwdegi kernewdi azaytadı.
Kishi quwatlı tranzistorlar ushın kollektor qarsılıgı o'nlab Om, úlken quwatlıqlariniki bolsa birlik Omlarni quraydı.
Emittter tarawdıń qarsılıgı joqarı kiritpeler konsentraciyası sebepli baza qarsılıgına salıstırǵanda júdá kishi.
UB sxema daǵı kernew boyınsha teris baylanıs koefficiyenti (I_E q const bolǵanında ) sıyaqlı anıqlanadı, U_E sxemasında bolsa (I_B q const bolǵanında ) arqalı anıqlanadı. Koefficientler absolyut bahalarına kóre derlik bir qıylı boladıl ha’m konsentraciya hám tranzistorlardıń tayarlanıw texnologiyasına kóre q 10 ^-2 -10 ^-4 ni quraydı.
Bipolyar tranzistorlardıń jeke ózgeshelikleri tiykarı bolmaǵan zaryad tasıwshılardıń baza arqalı ushıp ótiw waqıtı hám ótiwlerdiń tosıq sıyımlılıqlarınıń qayta zaryadlanıw waqıtı menen anıqlanadilar. Bul tásirinlerdiń salıstırmalı áhmiyeti tranzistor konstruksiyası hám jumıs rejimine, hám de sırtqı shınjır qarsılıqlarına baylanıslı boladı.
Júdá kishi kiriw signalları hám aktiv jumıs rejimi ushın bipolyar tranzistordı sızıqlı tórtqutblik kórinisinde ańlatıw múmkin jáne bul tórtqutblikni qandayda bir parametrler sisteması menen belgilew múmkin. Bul parametrlerdi h-parametrler dep ataw qabıl etilgen. Olarǵa tómendegiler kiredi: _h11 - shıǵıwda qısqa tutasıw bolǵan waqıttagi tranzistordıń kiriw qarsılıgı ; h₁₂ - úzilgen kiriw jaǵdayı daǵı kernew boyınsha teris baylanıs koefficiyenti; h₂₁ -shıǵıwda qısqa tutasıw bolǵan waqıttaǵı tok boyınsha kúsheytiw (uzatıw ) koefficiyenti; h₂₂ -úzilgen kiriw jaǵdayındaǵı tranzistordıń shıǵıw ótkezgishligi. Barlıq h - parametrler ańsat hám tikkeley o’lshenedi.
Elektronika boyınsha aldınǵı ádebiyatlarda kishi signallı parametrlerdiń chastotalıq baylanıslılıqlarına ju’da’ úlken itibar qaratılǵan. Házirgi waqıtta 10 GGs ge shekem bolǵan chastotalarda normal jumıstı támiyinleytuǵın tranzistorlar islep shıǵarılıp atır. Bunday jag’daylarda talap qılınıp atırǵan chastota xarakteristikaların alıw ushın mag’liwmatnamadan kerekli tranzistor túrin tańlaw kerek.