Telekomuniktsiya tehnalogiyalri

Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:

1. 
   6.4- rasmda keltirilgan sxema, o’lchash asboblari o’lchanadigan KP103 maydoniy tranzistor pasport ko’rsatmalari bilan tanishib chiqing. (5- ilovaga qarang)
   

Sokol rasmini chizib oling va tadqiq etilayotgan tranzistorning chegaraviy parametrlari U_SI._CHEG, I_S.CHEG, P_CHEG qiymatlarini yozib oling. 6.4 – rasmda keltirilgan sxemani yig’ing.

26.4-rasm

2. 
   Stok kuchlanishining U_SI=1/3 U_SI.CHEG va 2/3 U_SI.CHEG qiymatlari uchun ikkita boshqaruv xarakteristikasini o’lchang (U_SI.CHEG qiymati pasport ko’rsatmalaridan olinadi). O’lchash natijalarini 6.1 – jadvalga kiriting va undan foydalanib boshqaruv xarakteristikasini quring. Tajribada U_ZI kuchlanish qiymatini 0 dan bo’sag’aviy kuchlanish U_BO’S gacha o’zgartiring.
   
3. 
   Zatvordagi kuchlanishning uchta qiymatida (U_ZI=0; 0,25U_BO’S; 0,5U_BO’S) chiqish xarakteristikalar oilasi I_S=f(U_SI) ni o’lchang.
   

Tajriba o’tkazishdan avval I_S – U_SI koordinatalar tizimida tranzistorning ruxsat etilgan ishchi rejimi sohalarini belgilab oling. (6.5 - rasm)
2 6.1 – jadval

UZI, V		IS, mA
	USI=1/3 USI.CHEG		USI=2/3 USI.CHEG

Izoh: R_S.CHEG chizig’ini qurish uchun U_SI kuchlanishining 0 dan U_SI.CHEG qiymatlari oralig’ida ixtiyoriy bir nechta qiymatlari tanlanadi va shu nuqtalarda stok toki I_S=R_S.CHEG /U_SI hisoblanadi.
Tajribada olingan nuqtalarni 26.2 – jadvalga kiriting va tayyorlangan grafikda ularni belgilang (6.5 - rasm). Bunda tranzistor uchun ishlash ruxsat etilgan sohadan chiqib ketmaslikka e'tibor bering.

26.4-rasm
26.2 – jadval

USI, V		IS, mA
	UZI=0	UZI=0,25UBO’S	UZI=0,5UBO’S

4. 
   Tranzistor stok tokiga temperatuning ta'sirini tadqiq etish. Tadqiq etilayotgan tranzistorni termostatga joylashtiring va tegishli temperatura qiymatini o’rnating, stok kuchlanishning U_SI=1/3U_SI.CHEG qiymatida va T=40 ⁰C va 80 ⁰C temperaturalarda ikkita boshqaruv xarakteristikasi I_S=f(U_ZI) ni o’lchang.
   

O’lchash natijalarini 26.3 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib T=40 ⁰C va 80 ⁰C temperaturalardagi ikkita boshqaruv xarakteristikasi I_S=f(U_ZI) ni quring.
26.3 – jadval

UZI, V		IS, mA
	T=40 ^0S		T=80^0S

2. 
   Tajribada olingan natijalarni ishlash.
   
   1. 
      2.2. bandda o’lchangan boshqaruv xarakteriskalarini 26.1 – ifoda yordamida approksimatsiyalang. Approksimatsiya natijalarini Qurilgan I_S=f(U_ZI) grafigida aks ettiring.
      
   2. 
      Boshqaruv xarakteristikalaridan foydalanib, tranzistor tikligini U_SI=1/3 U_SI.CHEG ishchi nuqtada aniqlang
      

IS
S U USI const
ZI
S qiymatini xuddi shu nuqta uchun 26.2 – formula yordamida ham aniqlang. 3.3. 2.3 – bandda o’lchangan chiqish xarakteristikalar oilasida U_{SI TO’Y} =U_ZI – U_BO’S oraliqqa mos keluvchi, chiziqli rejim bilan to’yinish rejimi orasidagi chegarani ko’rsating.
3.4. Chiqish xarakteristikalar oilasidan foydalanib, quyidagi ishchi nuqtalar uchun tranzistor chiqish qarshiligini aniqlang:

• 
  to’yinish rejimida (U_SI=1/3U_{SI CHEG}, U_ZI=0,25U_CHEG);
  
• 
  chiziqli rejimda U_SI=0 va zatvor kuchlanishining uchta qiymatida (U_ZI=0;
  

0,25UBO’S; 0,5UBO’S).
Hisoblashlar natijalarini 6.4 – jadvalga kiriting va ulardan foydalanib chiziqli rejim uchun r_CHIQ ning U_ZI ga bog’liqlik grafigini quring.
26.4 – jadval

UZI,V	RCHIQ, kOm
	USI=1/3USI.CHEG		USI=0
UZI=0
UZI=0,25UCHEG
UZI=0,5UCHEG

3.5. 2.4 – bandda o’lchangan boshqaruv xarakteristikalarida, turli temperaturalarda o’lchangan boshqaruv xarakteristikalari kesishadigan termo barqaror nuqtaning I_ST va U_ZIT koordinatalarini aniqlang.

4. 
   Hisobot mazmuni.
   
   1. 
      tadqiq etilayotgan tranzistor pasport ko’rsatmalari;
      
   2. 
      o’lchash sxemasi;
      
   3. 
      o’lchangan bog’liqliklar jadval va grafiklari;
      
   4. 
      boshqaruv xarakteristikasining approksimatsiya, hisoblangan tranzistor xarakteristikasining tikligi S va chiqish xarakteristikalari r_CHIQ natijalari.
      
5. 
   Nazorat savollari.
   

1. 
   Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorni tasvirlang va ishlash mexanizmini tushuntiring.
   
2. 
   Maydoniy tranzistor ish rejimlarini aytib bering. Har qaysi rejimda tranzistor zatvori va stoki orasidagi kuchlanish munosabalari qanday bo’ladi ?
   
3. 
   Maydoniy tranzistorlarda qanday differentsial parametrlar tizimi qo’llaniladi va nima sababli ?
   
4. 
   Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang va tushuntirib bering.
   
5. 
   Zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor chiqish xarakteristikalar oilasini tasvirlang va tushuntirib bering.
   
6. 
   Turli temperaturalarda o’lchangan zatvori p-n o’tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistor uzatish xarakteristikasini tasvirlang. Bu xarakteristikalarda temperaturaga barqaror nuqtalarning mavjudligi nima bilan tushuntiriladi ?
   

Xulosa:
Biz ushbu laboratoriya mshg’ulotini bajarish mobaynida quyidagi sxemani chizdik. Bu sxema yoki emas sxemasi. Bu sxemada x1dan to’k o’tyapti shuning uchu 1 ni ko’rsatypti. X2 dan tok o;tmayapti shuning uchun u 0 ni ko’rsatyapti.

27-laboratoriya ishi

Mavzu: Tranzistor – tranzistor mantiq integral sxemasini tadqiq etish.
Ishning maqsadi: Tranzistor – tranzistor mantiq integral sxemasi elektr parametrlarini tadqiq etish
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish:
Bu ishni bajarishda mantiqiy mikrosxemalar asosiy elektr parametrlarining fizik ma’nosiga va o‘lchash uslublariga, hamda tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM)ning sxemotexnik xossalariga e’tibor qaratish kerak. Statik parametrlar uzatish xarakteristikasi (U_CHIK=f(U_KIR)) grafigi yordamida (8.2 - rasm) aniqlanishi mumkin.
Avval uzatish xarakteristikasidan (8.1 - rasm) mantiqiy nol U⁰ va mantiqiy bir U¹ sathlari (xarakteristikaning uning ko‘zguli aksi bilan tutashgan A va V nuqtalaridan aniqlanadi), so‘ngra 8.2 – rasmdagi grafikdan I⁰_KIR i I¹_KIR aniqlanib olinadi.

27.1 – rasm. TTM mantiqiy elementini 27.2 – rasm. Uzatish uzatish xarakteristikasi xarakteristikasidan I⁰_KIR i I¹_KIR qiymatlarini aniqlash
Grafik yordamida (27.1 – rasm) IMS statik shovqinlarga bardoshligi U_n=min
(U⁺_n,U^–_n ) aniqlanadi. (S va D nuqtalarda urinma 45° burchak ostida o‘tishini eslatib o‘tamiz).
Mikrosxema tezkorligi signal tarqalishining o‘rtacha vaqti bilan aniqlanadi:

ўрт.кеч ₂ ,
bu erda t^0,1_kech va t^1,0_kech – impuls amplitudasining 0,5 darajasida o‘lchanadigan, impuls oldi va orqa frontlarining o‘rtacha kechikish vaqti.
Mikrosxema tejamkorligi o‘rtacha iste’mol quvvati (nol va bir holatlarda) bilan baholanadi:
.
Mikrosxemaning intergal sifatini ulanish ishining sun’iy parametri belgilaydi:
𝐴узатиш = 𝑡ўрт.кеч𝑃ўрт.
Laboratoriya ishida tarkibida 4 ta 2YOKI–EMAS sxemasi bo‘lgan K155LAZ yoki K555LAZ mikrosxemasi qo‘llaniladi. Tadqiq etilayotgan mikrosxema prinsipial sxemasi, chiqishlarning joylashishi va asosiy elektr parametrlari ilovada keltirilgan.
Ishni bajarishga tayyorshgarlik ko‘rish jarayonida ilovada keltirilgan IMS sxemasi va parametrlari hisobotga kiritilishi lozim.

2.