Tt va kt ” fakulteti – bosqich tt-11-20 guruh talabasining elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI QARSHI FILIALI

“ TT va KT ” FAKULTETI
2 – BOSQICH TT-11-20 - GURUH TALABASINING
ELEKTRONIKA VA SXEMALAR 2
FANIDAN TAYYORLAGAN

2-LABORATORIYA ISHI

Bajardi: Panjiyev. F

Qabul qildi: Karimov. T

2- laboratoriya ishi
Bipolyar tranzistorda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish
Ishdan maqsad: UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish va kuchaytirgichning kirish va chiqishidagi signallarning ostsillogrammalarini olish.
Nazorat savollari:
1.Bipolyar tranzistor statik xarakteristikalari?
2.Bipolyar tranzistor chiqish va kirish xarakteristikalari qanday hosil boʼladi?
3.Bipolyar tranzistor fizik parametrlarini tushuntiring?
4. Bipolyar tranzistorni kamchiliklari?
5. Bipolyar tranzistor xususiy xossalari?

JAVOBLAR:

1. 
   BTning statik xususiyatlari sifatida elektrodlarga qo'llaniladigan oqim va kuchlanish o'rtasidagi funktsional munosabatlar qo'llaniladi: = f( ) ning
   

= const da kirish xarakteristikasi; =const da = f( ) ning xarakteristikasi; =const da = f( ) to'g'ridan-to'g'ri uzatishning xarakteristikasi; = f( ) ning = const da chiqish xarakteristikasi.
Parametrlarni aniqlash va funktsional tugunlarni hisoblash uchun umumiy bazaga va umumiy emitentga ega bo'lgan sxemalarda BTning kirish va chiqish xususiyatlariga ega bo'lish kifoya.
Taqdimotning aniqligi va uzluksizligi uchun biz quyidagilarni ko'rib chiqamiz p-n-p-tranzistor.
Umumiy bazaga ega sxema

C UB sxemasining kirish xarakteristikalari oilasi kollektor o'tishida(1 - rasm, a) -kuchlanish parametrining sobit qiymatlarida = f ( ) ga bog'liqdir.

= 0 xarakteristikasi P-n-o'tishning VAX ga o'xshash (P-n-p-tranzistor uchun < 0) ning teskari kuchlanishining oshishi bilan bazaviy maydonning kengligi (Early ta'siri) kamayadi. Bu ofset xususiyatlarini yuqoriga olib keladi: IE Ueb tanlangan qiymati bilan o'sadi. Agar emitentning doimiy oqimi (IE = const) qo'llab-quvvatlansa, ya'ni asosiy hududdagi teshik kontsentratsiyasining gradienti bir xil bo'lib qolsa, Ueb kuchlanishini kamaytirish kerak (xarakterli chap tomonga siljiydi). Shuni ta'kidlash kerakki, -< 0 va = 0 ostida IE0 emitterining kichik oqimi mavjud bo'lib, u orqali oqim paytida bazaning qarshiligidagi kuchlanishning pasayishi ta'siri bilan bog'liq. U faqat ueb0 ning teskari kuchlanishida nolga teng bo'ladi.

2. 
   Tranzistor statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga yuklama qo‘yilmagan holda o‘rnatilgan kirish va chiqish toklari va kuchlanishlar orasidagi o‘zaro bog‘liqlikni ifodalaydi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi ma’lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo‘lib tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin.
   

UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‘lib U_KB = const bo‘lgandagi I_E= f (U_EB) bog‘liqlik, UE sxemasi uchun esa U_KE =const bo‘lgandagi I_B=f(U_BE) bog‘liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteris-tikalarining umumiy xarakteri odatda to‘g‘ri yo‘nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko‘rinishiga ko‘ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega.
Sxemaning tavsifi
Kuchaytirish kaskadi umumiy emitterli sxema bo’yicha ulangan bipolyar tranzistorda bajarilgan.

Sxemani yig’ib bo’lgach uni ishga tushirib natijalarni tekshiramiz.

Ossilografni ustiga ikki marta bosish orqali quyidagi oynani hosil qilamiz va bu oyna orqali sxemada boradigan jarayonlarni grafik shaklida ko’rishimiz mumkin.

Undan so’ng esa “Bode Plotter” da ham shu jarayonni takroran bajarib ko’ramiz

Kuchaytirish kaskadining chiqishiga qarshiligi 1 kOm bo’lgan yuklamani Spase (probel) klavishasini bosish yo’li bilan ulaymiz va tajribaning 3, 4, 5, 6-bo’limlarini qaytadan bajamiz.