Tt va kt ” fakulteti – bosqich tt-11-20-guruh talabasining elektronika va sxemalar fanidan tayyorlagan

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI QARSHI FILIALI

“ TT va KT ” FAKULTETI
2 – BOSQICH TT-11-20-GURUH TALABASINING
ELEKTRONIKA VA SXEMALAR_2 FANIDAN TAYYORLAGAN

3-LABARATORIYA ISHI

Bajardi: Ro’ziboyev.A

Qabul qildi: Karimov.T

5-6 laboratoriya ishi
Bipolyar tranzistorda yasalgan UB kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish.

Ishdan maqsad: Umumiy bazali sxema bo’yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasini nuqtalar bo’yicha qurish.

V1 va V2 Voltmetrlar baza-emitter Ube va kollektor-emitter kuchlanishlarini Uke ko’rsatadi. A1 Ampermetr yordamida baza toki Ib o’lchanadi. Kuchaytirgichning kirish va chiqishlari ossillograf hamda bode plotter ga ulangan. Ossillograf yordamida kuchaytirgichning kirish va chiqishidagi kuchlanishlar kuzatiladi, bode plotter yordamida esa kuchaytirish kaskadining amplituda chastotaviy (AChX) va faza chastotaviy xarakteristikalari (FChX) olinadi. Umumiy bazali sxema bo’yicha ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasi emitter tokining o’zgarmas qiymatida kollektor baza kuchlanishi va kollektor toki orasidagi bog’lanishni ifodalaydi, ya’ni
I_K= f(U_KB), I_E=const.

Sxemada ikkita SS ulab-uzgich mavjud bo’lib , ular yordamida 1 mA yoki 10 mA ga teng bo’lgan emittera toki I_E o’rnatiladi. Ampermetr A1 va voltmetr V1 kollektor toki va kuchlanishini o’lchash uchun xizmat qiladi.

GEN generatorning Offset parametri yordamida qiymatlari 1 kOm yoki 10 kOm bo’lgan cheklovchi rezistorlar orqali tranzistorning kollektoriga kuchlanish beriladi.

IЭ, мА		Offset, В
		0	2	4	6	8	9	10	11	12	15	20
1	U, В	1.731	1.731	1.466	0.731	4.690	1.731	0.671	9.848	9.898	1.731	1.735
	I, мА	0.7	1.200	0.989	1.461	0.95	1.627	0.592	0.999	0.994	0.545	0.991