Ван дер Пау методи билан ўлчашда контактларнинг жойлашуви A, B, c va d kontaktlar hosil qilinadi

Ўлчанилаётган намуналар сирт потенциалининг қиймати ва унинг вақт бўйича ностабиллиги билан боғлиқ бўлган хатолик. Бу катталик ишорасига сиртда юзага келадиган ҳажмий заряд соҳаси (ҲЗС) боғлиқ бўлади.

ρ нинг катта (10 Ом·см) қийматларида ҲЗС RО сезиларли таъсир кўрсатади.
Юқори омли (ρ > 10 Ом·см) n-Si нинг ρ ни ўлчаганда HCl газида емиргунча кимёвий-механик жилвирлаш мақсадга мувофиқ бўлади. Худди шундай р типли кремний намуналари учун уларни узоқ вақт ҳавода ушлаб туриш RО нинг ўлчаш хатолигини камайтиради.

Кремний намуналари учун оқиш қаршилиги R нинг ρ га боғлиқлиги. (сирт ҳолатининг турли даражаларида ) 1, 2 – механик жилвирланган; 3,4 – газсимон HCl емирилгандан сўнг; 1,3 –ҳавода узоқ вақт ушлаб турилгандан сўнг; 2, 4 – бевосита HF да сиртни тозалагандан сўнг.

Хатолик 0,95 ишонч эҳтимоли билан 1 дан 3 % гача бўлади.

Хатолик 0,95 ишонч эҳтимоли билан 1 дан 3 % гача бўлади.

ρ нинг 10-2 дан 102 Ом·см қийматлар интервалида RO ⁓ ρα қонуният билан ўзгаради. Бу ерда α нинг қиймати турли манбаларга кўра 0,85 дан 1,05 оралиқда ётади.

Солиштирма электр қаршилик бир жинисмас тақсимланган қатламлар оқиб кетиш қаршилигини ўлчаш

Умумий ҳолда кўпқатламли ёки солиштирма қаршилик бўйича бир жинсли бўлмаган структура (эпитаксиал, диффузион ёки ион имплантация қилинган қатламлар) оқиш қаршилиги учун қуйидаги формула ўринли:

бу ерда ρ - контакт нуқтасидаги солиштирма электр қаршилик, CF1 ва CF2 лар коррекцияловчи (тўғриловчи) факторлар бўлиб, уларнинг катталиклари қуйидагича аниқланади:

Бу ерда D – зондлар ўқ чизиқлари орасидаги масофа

Бесселнинг биринчи жинсли нолинчи ва биринчи тартибли функциялари
(*)
(**)

Кўп қатламли структуранинг оқиш қаршилигини ўлчаш

Бир жисли бўлмаган қатламда солиштирма электр қаршилиги тақсимот қонунига боғлиқ бўлган интегралловчи фактор

Коррекцияловчи факторларни тўғри ва тескари масалаларни ечиш орқали топиш мумкин. Умумий ҳолда ўтказувчанликнинг узлуксиз тақсимоти заряд ташувчилар концентрациясининг ва бунга мос солиштирма электр ўтказувчанлик ёки солиштирма электр қаршиликнинг зинали тақсимотига эга бўлган кўп қатламли структура билан аппроксимация қилинади.