5 -mfvzuyarim o’tkazgichli asboblar yarim o’tkazgich asboblar hosil qilishning fizik asoslari

1–chiqiqlar, 2–kontakt simga, 3–keramikali vtulka, 4–kristall.

Tunnel diodlarining asosiy parametrlari quyidagilar:

1.Manfiy differentsial qarshilikning kattaligi.
2.Tokning eng katta qiymati (I₁).
3.Tokning eng katta va eng kichik qiymatlari orasidagi munosabat.
4.Kuchlanishning eng katta va tushuvchi qiymatlari (U_, U_b).VAT ning to’g’ri tok qismida, tunnel effekti natijasida, manfiy qarshilikli (a-b) soha hosil bo’ladi.

Ikkala tomoni bir xil energetik sathga ega bo’lgan potentsi­al barerdan, kinetik energiyasi kam bo’lgan zarracha ma’lum sharoitda energiyasini yo’qotmasdan, bu barьerni yengishi mumkin. Tunnel effekti p-n o’tish hajmi zaryadining tor qismida yaxshi seziladi. 5.6-rasmda gigagertsgacha generatsiyalovchi tunnel diodning ulanish sxemasi keltirilgan. Kuchaytirish rejimini olish uchun Ye va R_yu lar aniq bir qiymatga ega bo’lishi zarur. R_yu yuklama qarshilik diodning manfiy qarshiligidan bir oz kichikroq bo’lishi kerak. Kirish kuchlanishi berilmaganda, ishchi nuqta diod tavsifidagi tushayotgan qismining o’rtasiga qo’yiladi. Diodga U_max kirish kuchlanishi berilganda, yuklamada tebranish hosil bo’lib, o’ziga o’zi parallel kuchadi. Tunnel diodida aloxida kirish va chiqish zanjiri mavjud emas. Bu esa bir necha kuchaytirgichlar kaskadlari bilan kuchaytirish hosil qilishda qiyinchilik tug’diradi. Tunnel diodi asosan xalaqit sathi kichik bo’lgan signallarni kuchaytirib, turg’un ishlaydi. Tunnel diodi tez ishlovchi uzib ulagichlarda ham qo’llaniladi. Ularning ulash vaqti 10^-9 s.

5.6- rasm. Tunnel diodining ulanish sxemasi
Tunnel diodi impul’s rejimda ham ishlaydi. 5.7 b-rasmda tunnel diodining impul’s rejimda ishlash diagrammasi keltirilgan.

5.7-rasm. Tunnel diodining impul’s rejimda ishlashi.

Diodga kirish impul’si berilmasdan E manbada kuchlanish tanlanganda, diod A nuqtada ishlaydi va I_max maksimal tok olinadi va diod ochiq holda bo’ladi. Kirishga musbat impul’si berilganda, diodning to’g’ri kuchlanishi ortadi va diod rejimi sakrash bilan B nuqtaga o’tadi. Tok I_min minimal qiymatga erishib, diod berk holga o’tadi.

Agar A nuqtaga B nuqtadagi kuchlanish o’rnatilsa, diodga manfiy kuchlanish berib, diod rejimini A nuqtaga o’tqazish mumkin. Tunnel diodi UYuCH va impul’s elektronikasida qo’llaniladi. Tunnel diodlari kichik inertsion xossasiga ega bo’lish bilan bir qatorda ular ionlashgan nurlanishga chidamli. Tunnel diodlar kam energiya iste’mol qiladi.
Kamchiliklaridan biri, tunnel diodlarning tavsifilari va parametrlari vaqt o’tishi bilan sezilarli darajada o’zgaradi. Bular esa asboblarni me’yorida ishlashini buzadi.