Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali kompyuter injinirining fakulteti 2-bosqich dasturiy injiniring 12/18 guruh talabasi po`latov rustamning “elektronika va sxemalar” fanidan yozgan

MDY TRANZISTORLAR ASOSIDAGI INTEGRAL MIKROSXEMALARNI TAYYORLASH

Reja:

1. Integral mikrosxema ( IMS) nima ?

2. IMSlaming asosiy xususiyatlari nimada ?

3. IMS elementi va komponenti deb nimaga aytiladi?

Diskret MDY — tranzistorlaming VI bobda keltirilgan tuzilish

• Diskret MDY — tranzistorlaming VI bobda keltirilgan tuzilish
• sxemalari va parametrlari integral texnologiya uchun ham qo'llanilishi
• mumkin. Bunda MDY — tranzistorlar asosida IMSlar tayyorlash
• texnologiyasi BTlar asosida IMSlar tayyorlash texnologiyasiga
• qaraganda ancha sodda bo‘lib, u ikkita omil bilan bog‘liq:
• 1) kanallari bir xil o ‘tkazuvchanlikka ega integral MDY —
• tranzistorlar uchun tuzilmalarni izolatsiyalash operatsiyasi talab
• etilmaydi. Asos hamma vaqt istok va stokga nisbatan teskari
• o'tkazuvchanlikka ega bo‘ladi.

Shuning uchun istok — asos va stok —

• Shuning uchun istok — asos va stok —
• asos p—n o'tishlaming biri kuchlanishning ixtiyoriy qutbida stok orasida
• teskari ulanadi va izolatsiyani ta ’minlaydi;
• 2) barcha tayyorlash jarayoni faqat MDY — tuzilmani hosil qilishga
• olib kelinadi, chunki u nafaqat tranzistorlar sifatida, balki rezistorlar
• va kondensatorlar sifatida ham ishlatiladi.

Shunday bo‘lishiga qaramasdan, kristalda yonma-yon joylashgan

• Shunday bo‘lishiga qaramasdan, kristalda yonma-yon joylashgan
• va turli o ‘tkazuvchanlikli kanallarga ega komplementar MDY —
• tranzistorlarda (KMDY) izolatsiya talab etiladi. Izolyatsiyalash uchun
• tranzistorlardan birini izolatsiyalovchi cho‘ntakchaga joylashtirish kerak
• bo‘ladi. Masalan, agar asos sifatida p — kremniy ishlatilsa, p — kanalli
• tranzistor uchun awal n — turli cho‘ntakcha tayyorlanishi kerak.

MDY — tranzistorlar asosidagi IMSlar planar texnologiya asosida

• MDY — tranzistorlar asosidagi IMSlar planar texnologiya asosida
• yaratiladi. Bu texnologiyada kremniy sirtida oksidlash, fotolitografiya
• va ochilgan “darcha”larga kiritmalar diffuziyasini amalga oshirish
• ilgaridek bajariladi.
• MDY — tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor ostidagi dielektrik
• qatlamni hosil qilish eng murakkab jarayon bo‘lgani uchun unga alohida
• talablar qo‘yiladi.

Xarakteristika tikligini oshirish uchun (6.18)ga

• Xarakteristika tikligini oshirish uchun (6.18)ga
• muvofiq zatvor osti dielektrikning qalinligi kamaytirilishi kerak. Oxirgi
• 40 yil ichida dielektrik material sifatida asosan kremniy ikki oksidi
• ( S i0 2) q o 'lla n ilib keldi, za tv o r esa k remniydan tay y o rlan d i.
• Mikrosxemalarning har bir yangi avlodiga o ‘tish bilan izolatsiyalovchi
• qatlam qalinligi kichrayib bordi. Lekin, SiO: qatlam yupqalanishi
• bilan sizilish toklari oshadi, ortiqcha issiqlik ajralishlar paydo bo‘ladi
• va tranzistor holatini boshqarish og'irlashadi.
• B u g u n g i k u n d a In te l k o rp o ra ts iy a s i tom o n id a n ish la b
• chiqarilayotgan tranzistorlarda zatvor osti dielektrigining qalinligi (S i0 2)
• 1,2 nm ni, yoki besh atom qatlamni tashkil etmoqda.

2007-yildan

• 2007-yildan
• buyon 45 nmli ishlab chiqarish texnologiyasiga o ‘tildi. Bu texnologiyada
• kichik sizilish tokli tranzistorlar zatvorlarini hosil qilishda dielektrik
• sifatida yuqori dielektrik singdiruvchanlikka ega bo‘lgan gafniy tuzlari
• asosidagi high — к material ishlatilmoqda. Natijada, qalinroq dielektrik
• ishlatish va sizilish tokini o ‘n martadan ko‘proq kamaytirish imkoni
• tug'ildi. Lekin, yangi material kremniyli zatvor bilan “chiqishmadi”.
• Shunda zatvor sifatida materiallarning yangi turini ishlatish taklif etildi,
• natijada ular asosidagi tranzistorlar ulanishi va uzilishi uchun 30%
• kam energiya sarflanishiga erishildi. Yangi texnologiya bir xil yuzada
• joylashadigan tranzistorlar sonini ikki marta oshirish imkonini berdi.
• MDY — tranzistorlar ichida metall — nitrid kremniy — dielektrik
• - yarimo‘tkazgich (MNDYA) tranzistorlar (7.7, a-rasm) alohida o ‘rin
• tutadi

Bunday tranzistorlar xotira elementi rolini bajaradi va qayta

• Bunday tranzistorlar xotira elementi rolini bajaradi va qayta
• dasturlanuvchi xotira qurilmalar asosini tashkil etadi.
• Ushbu tranzistor dielektrigi ikki qatlamdan: qalinligi 2-^5 nmni
• tashkil etuvchi SiO, va kremniy oksidi ustiga purkalgan 0,05^0,1
• mkm qalinlikdagi Si,N4 kremniy nitrididan tashkil topadi.
• Mantiqiy 1 ni hosil qilish uchun zatvorga qisqa (100 mks) musbat
• impuls beriladi, bunda elektronlar asosdan yupqa SiO, orqali tunnel
• o ‘tib ikki qatlam chegarasida to'planadi, chunki qalin Si3N4 qatlam
• elektronlarni o ‘tkazmaydi. To‘plangan zaryad mantiqiy 1 ni yozishda
• berilgan impuls o ‘chirilgandan so‘ng ham saqlanib qoladi.

Bo‘sag‘aviy

• Bo‘sag‘aviy
• kuchlanish U0] qiymati U02 gacha qiymatli impuls berilgandan so‘ng
• kamayadi
• Axborotni o ‘qish uchun tranzistor zatvoriga Ucr kuchlanish beriladi
• MNDYA — tranzistor tuzilmasi (a) va stok-zatvor VAXi (b).
• Uning absolut qiymati Uot va U02 orasida bo‘lish kerak. Agar mantiqiy
• 1 yozilgan bo‘lsa, tranzistor ochiq, agar mantiqiy 0 bo‘lsa — berkligicha