Oʼrtа mаxsus tаъlim vаzirligi zаhiriddin muhаmmаd bobur nomidаgi

µp∙Nt, (В·см·с)^-1	1,87·10^15	1,84·10^15	1,8·10^15	1,75·10^15	1,69·10^15
1,62·10^15
µp, (см^2/ В·с)	355	347	339	330	319	305
µn, (см^2/ В·с)	2201	2360	2508	2640	2743	2897

бундаги а, b ва µ_p∙N_t, параметрлар маълумотларидан фойдаланиб, асосий − µ_p ва асосий бўлмаган − µ_n ташувчиларнинг ҳаракатчанлигининг ҳароратга боғлиқлигини аниқланди (2.1.2-жадвал). Бундан кўриниб турибдики, бундай қаттиқ қоришмларда заряд ташувчиларнинг ҳаракатланиш меҳанизмида чуқур киришма ионлари сочилиши муҳим аҳамият касб этади.
[72; 59-65 бб.] ишда GaAs тагликларига ўстирилган қалайли аралашма эритмадан ўстирилган (GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y қаттиқ қоришмасининг рентгенограммаси тадқиқ қилинган. Жуфтлашган германий атомлари галлий арсениди молекулалари билан қисман ўрин алмаштирибгина қолмай, галлий арсенид молекулалари блоклари орасидаги жойларда, ажралиш чегараларида германий нанокристалларининг ўз-ўзидан ҳосил бўлиши аниқланган. Бу фактлар (GaAs)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y қаттиқ қоришмасида германий киришмалри ҳардоим ҳам нейтрал атом сифатида ўрин алмашмайди. Балки бўлиниш чегараларида жойлашиб, у оддий чуқур киришма сатҳларин ҳосил қилиб ВАХ субчизиқли соҳаларини юзага келишига сабаб бўлади [88; 1066-1070 бб.].
Шундай қилиб, асосий ток ташувчиларнинг ҳаракатчанлигининг пасайиши ва асосий бўлмаганларини ортиши билан ортиши қаттиқ қоришмада ток ўтишига сочилиш механизми муҳим аҳамият касб этади деган хулосага келиш мумкин [24; 67-91 бб.].
2.2 §. n-GaP – p-(GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y гетеротузилмасининг электрик характеристикаси.
Кенг соҳали яримўтказгичли бирикмалар А³В⁵ – А²В⁶ лар нурланиш спектрининг ўрта ва узоқ инфрақизил (ИҚ) ва кўринадиган нурлар соҳаларида кенг қўлланилиб, улар асосида микро- ва оптоэлектрон қурилмалар яратиш учун энг истиқболли материаллар ҳисобланади. InSb, InAs, GaSb, GaAs, GaP каби бирикмалар асосида ва бошқа кўп таркибли қаттиқ қоришмалар тузилмаларни олиш, уларни ноёб ҳусусиятлари тадқиқ қилиш, шунингдек, улар асосида турли оптоэлектрон қурилмалар таёрлаш бўйича жадал суратларда илмий тадқиқот ишлар амалга оширилмоқда [80; 63-82 бб.; 81; 59-62 бб.; 82; 2542-2546 бб.; 83; 41-45 бб.; 84; 630-634 бб.].
Шу бунасиб билан ушбу бўлимда n-GaP – (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y гетеротузилмаларининг вольтампер характеристикалари тадқиқотларининг экспериментал натижалари келтирилган. Тузилмалар қалинлиги ~ 400 мкм бўлган, (111) кристаллографик ориентацияга эга бўлган монокристал тагликларга суюқфазали эпитаксия усули билан олинган (GaAs_1-δBi_δ)_1-x-y(Ge₂)_x(ZnSe)_y қаттиқ қоришмларини ўстириш асосиди тайёрланди. Арлашма эритманинг таркиби ҳамда кристалланишнинг бошланиш ҳарорати дастлабки тажрибалар натижалар ва кўпкомпонентли GaAs–Ge–ZnSe–Sn тизилма асосида танлаб олинди. Олинган эпитаксиал қатламлар р-тур ўтказувчанликка эга бўлиб, солиштирма қаршилиги 10 Омсм ва ток ташувчилар концентрацияси 1,5 10¹⁶ см^-3 га тенг бўлиб, қалинлиги 10 мкм ни ташкил этади. Фойдаланилган тагликларни ҳамда уларга ўстирилган эпитаксиал қатламларнинг тузилмавий тадқиқотлари хона ҳароратида, ДРОН-3М (CuK_ – нурланиш,  = 0.15418 нм) θ − 2θ тизим бўйича қадамлаб текширув меъёрида ишловчи рентгенодифрактометрида ўтказилди. Тузилмавий таҳлиллар олинган эпитаксиал қатламлар (111) кристаллографик ориентацияли сфалерит тузилишга эга бўлган монокристал эканлиги тасдиқлади. Таглик ҳамда унга ўстирилагн қатлам кристал панжарасининг экспериментал қиймати мос

а

б