2-tema. Imslar tayarlaw texnologiyası. Ims aktiv hám passiv elementleri Reje

Perdeli hám gibridli mikrosxemalar
Perdeli IS – bul dielektrik tiykar betine jaǵıǵan elementleri perde kórinisinde orinlanǵan mikrosxema. Perdeler tómen basimda túrli materiallardan juqa perdeler kórinisinde shókpeler hasil qiliw joli menen alinadi.
Perde hasil qiliw usili hám oǵan baylanisli bolǵan qalińliǵına kóre juqa perdeli IS (perde qalińliǵı 1 – 2 mkm ǵe shekemgi) hám ва qaliń perdeli IS (perde qalińliǵı 10 – 20 mkm ǵe shekemgi hám ulken) lerge bólinedi.
Házirgi kúnde Turaqlı perdeli diodlar hám tranzistorlar aytarliqtay joq, usi sebepli perdeli ISlar tek passiv elementleri rezistorlar, kondensatorlar hám t. b.) dan payda etilgen.
Gibridli IS (yaki GIS) – bul perdeli passiv elementler menen diskret aktiv elementler kombinaciyasinan payda etilgen, jalǵız dielektrik tiykarinda jaylasqan mikrosxema. Diskret konponentlerdi ildirmeli elementler dep ataydi. Korpussiz yaki mikrominiatyur metal korpusli mikrosxemalar gibridli. IMS ler ushın aktiv elementler bolıp esaplanadi.
Gibridli integral mikrosxemalardiń tiykarǵı abzalliǵı: salistirmali qisqa islep shiǵıw waqtinda analog hám sanli mikrosxemalardiń keń túrlerin jaratiw múmkinshiligi; keń nomenklaturaǵa iye bolǵan passiv elementler hasil qiliw múmkinshiligi; MDYa – áspablar, diodli hám tranzistorli matricalar hám joqarı jaramli mikrosxemalardiń shiǵıwi sanaladi.


Yarim ótkizgishli IMSler
Tranzistordiń paydalaniw túrine kóre yarim ótkizgishli IMS lerdi bipolyar hám MDYA IMS lerge ajiratiw qabil qilinǵan. Bunnan tisqari, keyingi waqitlarda basqariliwshi ótiwli maydanli tranzistorlar jasalǵan IMS lerden paydalaniw úlken áhmiyetke iye. Bul klassqa galliy arsenidinde jasalǵan IMS ler, zatvorlı Shottki diode kórinisinde orinlanǵan maydanli tranzistorlar kiredi. Házirgi kúnde bir waqittiń ózinde de bipolyar, hám maydanli tranzistorlar qollanilǵan IMS ler jaratiw tendenciyasi belgilenbekte.
Eki klassqa tiyisli yarim ótkizgishli IMS ler texnologiyasi yarim ótkizgish kristallin izbe-iz donor hám acceptor aralaspalari menen legirlew (kiritiw)ge tiykarlanǵan. Nátiyjede bet astinda túrli ótkiziwsheńlikke iye bolǵan juqa qatlamlar, yaǵniy n–p–n yaki p–n–p strukturali tranzistorlar hasil boladı. Bir tranzistordiń ólshemleri eni bir neshe mikrometrlerdi quraydi. Oz aldina bólek elementlerdiń izolyaciyasi yaki р-n ótiw járdeminde, yaki dielektrik perde járdeminde ámelge asiriliwi múmkin. Tranzistorli struktura tek tranzistorlardi emes, balki basqa elementler (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) jasawda qollaniladi.
Mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tisqari kóp emmiterli hám kóp kollektorli tranzistorlar da qollaniladi.
Kóp emmiterli tranzistorlar (KET) uliwma baza qatlami menen birlestirilgen bir kollektor hám bir neshe (8-10 ǵa shekem hám onnanda kóp) emmiterden quralǵan. Olar tranzistor – tranzistorli logika (TTL) sxemalarin jaratiwda qollaniladi.
Kóp kollektorli tranzistordiń strukturasida, KET strukturasina uqsas boladı, biraq integral – injekcion logika (I²L) dep ataliwshi injekcion derekli logikalıq sxemalar jasawda qollaniladi.
Diodlar. Diodlar bir р-n ótiwge iye. Biraq bipolyar tranzistorli IMS lerde tiykarǵı struktura retinde tranzistor tańlanǵan, soniń ushın diodlar tranzistordiń diod jalǵaniwi járdeminde hasil qilinadi. Bunday jalǵaniwlardiń bes variant bar. Eger diod jasaw ushın baza – emmiter ótiwindegi р-n ótiw qollanilsa, ol halda kollektor – baza ótiwindegi р-n ótiw úzik boliwi kerek.
Rezistorlar. Bipolyar tranzistorli IMS lerde rezistor hasil qiliw ushın bipolyar transistor strukturasiniń qandayda bir oblasti emmiter, kollektor yaki baza qollaniladi. Emmiter oblastlari tiykarinda kishi qarsiliqqa iye bolǵan rezistorlar hasil qilinadi. Baza qatlami tiykarinda orinlanǵan rezistorlarda bir qansha úlken qarsiliqlar alinadi.