2-tema. Imslar tayarlaw texnologiyası. Ims aktiv hám passiv elementleri Reje

Kondensatorlar. Bipolyar tranzistorli IMS lerde keri jóneliste jıljiǵan р–n ótiwler tiykarinda jasalǵan kondensatorlar qollaniladi. Kondensatorlardiń qáliplesiwi jeke texnologiyaliq ciklda tranzistor hám rezistorlar tayarlaw menen bir waqittiń ózinde ámelge asiriladi. Demek olardi jasaw ushın qosimsha texnologiyaliq ámeller talap qilinbaydi.
MDYA – tranzistorlar. IMS lerde tiykarinan zatvori izolyaciyalanǵan hám kanali indukciyalanǵan MDYA – tranzistorlar qollaniladi. Transistor kanallari р- hám n– túrli boliwi múmkin. MDYA – tranzistorlar tek tranzistorlar retinde emes, bálki kondensatorlar hám rezistorlar retinde de qollaniladi, yaǵniy bárshe sxema funkciyalari bir ǵana MDYA – strukturalarda ámelge asiriladi. Eger dielektrik retinde SiO₂ qollanilsa, ol halda bul tranzistorlar MOYA – tranzistorlar dep ataladi. MDYA – strukturalardi jaratiwda elementlerdi bir-birinen izolyaciya qiliw operaciyasi joq, sebebi qońsi tranzistorlardiń istok hám stok oblastlari bir-birine baǵıtlanǵan tárepte jalǵanǵan р-n ótiwler menen izolyaciyalanǵan. Sol sebspli MDYA – tranzistorlar bir-birine júdá jaqin jaylasiwi múmkin, demek úlken tiǵızliqti támiyinleydi.
Bipolyar hám MDYA IMSler planar yaki planar – epitaksial texnologiyadа jasaladi.
Planar texnologiyadа n-р–n tranzistor strukturasin jasawda р–túrdegi yarim ótkizgishli plastinaniń bólek oblastlarina tesikleri bar bolǵan arnawli maskalar arqali jergilikli legirlew ámelge asiriladi. Betin iyelewshi kremniy eki oksidi SiO₂ oynaydi. Bul perdede arnawli usillar (fotolitografiya) járdeminde aynasha dep ataliwshi tesikler qáliplesedi. Aralaspalar yaki diffuziya (joqarı temperaturada olardiń koncentraciya gradient tásirinde aralaspa atomlarin yarim ótkizgishli tiykarǵa kiritiw), yaki ionli legirlew járdeminde ámelge asiriladi. Ionli legirlewde arnawli dereklerden alinǵan aralaspa ionlari tezlesedi hám elektr maydanda fokuslenedi, tiykarǵa túsedi hám yarim ótkizgishtiń bet qatlamina sińedi.
Planar texnologiyadа jasalǵan yarim ótkizgishli bipolyar strukturali IMS úlgisi hám omiń ekvivalent elektr sxemasi 1 а, б - súwrette keltirilgen.
Diametri 76 mmli jalǵız tiykarda bir korpusli usilda bir waqittiń ózinde hár biri 10 nan 2000 ǵa shekem element (tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar) dan quralǵan 5000 mikrosxema jaratiw múmkin. Diametri 120 mm bolǵan olastinada onlap millionǵa shekemgi element jaylastiriwi múmkin.
Zamanagóy IMS ler aralaspali planar – epitaksial texnologiyadа jasaladi.
Bul texnologiya planar texnologiyadаn sonisi menen parq qiladi, bárshe elementler р– túrdegi tiykarda ósirilgen n– túrdegi kremniy qatlaminda hasil qilinadi. pitaksia Epitaksiya dep kristall strukturasi tiykarǵısinnan bolǵan qatlam ósiriwge aytiladi.

а) б)